Как выставлять тайминги оперативной памяти ddr4

Разгон оперативной памяти DDR4 на AMD Ryzen и Intel Core

На github.com кто-то заморочился и сделал полноценный гайд по разгону оперативной памяти DDR4 на Intel и AMD Ryzen. А в качестве базовой информации в дополнении к нашему видео он будет полезен каждому.

Делимся переводом, приятного прочтения.

Подготовка

Проверьте, что ваши модули находятся в рекомендуемых слотах DIMM (обычно 2 и 4).
Перед разгоном памяти убедитесь, что ваш процессор полностью исправен, так как нестабильный процессор может привести к ошибкам памяти. При повышении частоты с жесткими (предельно сокращёнными) таймингами, ваш процессор может начать работать нестабильно.
Убедитесь, что используется актуальная версия UEFI.

Утилиты тестирования памяти

Нужно всегда проводить различные стресс-тесты, чтобы убедиться в стабильности разгона.

Не рекомендуется

Мы бы не советовали тест памяти с помощью AIDA64 и Memtest64, поскольку обе эти утилиты не очень хорошо умеют находить ошибки памяти.

Альтернативные варианты

Установите WSL и Ubuntu.
В командной строке Ubuntu (bash shell) введите: sudo apt update
Далее: sudo apt-get install stressapptest
Чтобы приступить к тестированию: stressapptest -M 13000 -s 3600 -W --pause_delay 3600, где -M это объём тестируемой памяти (в Мб); -s это время тестирования (в секундах), --pause_delay — это время задержки (сек) между скачками напряжения. Чтобы пропустить тесты на скачки напряжения, это значение следует установить таким же, как и -s.

В папке с y-cruncher.exe создайте новый файл с именем memtest.cfg и вставьте в него эти настройки, и сохраните.
Создайте ярлык на y-cruncher.exe и добавьте в нем параметры запуска pause:1 config memtest.cfg. Путь запуска в ярлыке должен у вас выглядеть примерно так:

"c:\y-cruncher\y-cruncher.exe" pause:1 config memtest.cfg

Prime95 – метод ‘large FFTs’ также хорошо справляется с поиском ошибок памяти.

Мы использовали пользовательский диапазон FFT 800k — 800k, но любое значение FFT внутри диапазона large FFTs должно работать.

Убедитесь, что не стоит флажок ‘Run FFTs in-place’.
В файле prime.txt добавьте строку TortureAlternateInPlace=0 под TortureWeak, чтобы предотвратить in-place тестирование программой. In-place означает, что будет использоваться одна и та же небольшая область RAM, а это не то, что нам нужно.

Можно создать ярлык к prime95.exe, добавив -t к параметрам запуска, чтобы тестирование запускалось сразу при запуске, используя настройки из prime.txt.

Строка запуска объекта в ярлыке будет выглядеть примерно так:

Ещё можно изменить рабочий каталог файлов конфигурации Prime95, чтобы удобней было работать с разными конфигами – например, один для стресс-теста CPU, а другой для стресс-теста RAM.

В папке с prime95.exe создайте ещё одну папку. Назовём её, к примеру, “RAM” (без кавычек).
Скопируйте в неё файлы prime.txt и local.txt.
Отредактируйте prime.txt, выставив необходимые значения настроек.
Создайте второй ярлык к prime95.exe, добавив к параметрам запуска -t -W. У нас это так будет выглядеть: "c:\prime95\prime95.exe" -t -WRAM
Теперь мы можем использовать этот ярлык для мгновенного запуска Prime95 с заданными настройками.

randomx-stress – полезен для тестирования стабильности FCLK.

Сравнение

Здесь сравнили между собой Karhu RAMTest, TM5 с экстрим-конфигом и GSAT.

TM5 – самый быстрый и самый «стрессовый», хотя у меня были случаи, когда я успешно проходил получасовые стресс-тесты TM5, но не проходил 10-минутные Karhu. И у другого пользователя было похожее. Но у всех по-разному может быть.

Работа и настройка таймингов

Утилиты для просмотра таймингов в Windows:

Intel:

Z370(?)/Z390: Asrock Timing Configurator v4.0.4 (работает с большинством сторонних материнских плат).
Z170/Z270(?)/Z490, а также материнки EVGA: Asrock Timing Configurator v4.0.3.
Для Rocket Lake: Asrock Timing Configurator v4.0.10

Бенчмарки (тест производительности)

AIDA64 – бесплатная 30-дневная пробная версия. Мы будем использовать тесты кэша и памяти (находятся в разделе Tools), чтобы посмотреть, как работает наша память. Щёлкнув правой кнопкой по кнопке запуска теста, можно выбрать запуск только тестов памяти, пропустив тесты кэша.
Intel Memory Latency Checker – содержит множество полезных тестов для измерения производительности памяти. У него более обширный сбор данных, чем у AIDA64, и значения пропускной способности у тестов отличаются. Обратите внимание, что его необходимо запускать от имени администратора, чтобы отключить префетчинг. На системах AMD может потребоваться отключить его в BIOS.
xmrig – очень чувствителен к памяти, поэтому его полезно использовать для проверки влияния определенных таймингов. Запустите от имени администратора с параметром —bench=1M в качестве аргумента командной строки, чтобы запустить бенчмарк. Используйте контрольное время (benchmark time) для сравнения.
MaxxMEM2 – бесплатная альтернатива AIDA64, но тесты пропускной способности выглядят намного слабее, поэтому полностью сравнивать с AIDA64 не стоит.
Super Pi Mod v1.5 XS – еще одна чувствительная к памяти бенчмарк-утилита, но я не использовал её так часто, как AIDA64. 1-8M значений [после запятой при вычислении числа π] будет вполне достаточно для быстрого теста. Вам лишь нужно посмотреть на последнее (общее) время, которое чем меньше, тем лучше.
HWBOT x265 Benchmark – говорят, эта утилита также хорошо тестирует память, но я сам лично ей не пользовался.
PYPrime 2.x – этот бенчмарк работает быстро и отлично сонастраивается с тактовой частотой ядра процессора, кэшем/FCLK, частотой памяти и таймингами.

Общая информация о RAM

Соотношение частот и таймингов

Частота оперативной памяти измеряется в мегагерцах (МГц) или миллионах циклов в секунду. Более высокая частота означает большее количество циклов в секунду, что означает более высокую производительность.

Многие ошибочно полагают, что частота оперативной памяти DDR4-3200 – 3200 МГц, однако на самом деле реальная частота памяти составляет всего 1600 МГц. Поскольку в памяти DDR (Double Data Rate) данные передаются как по нарастающему, так и по спадающему фронту тактового сигнала, реальная частота оперативной памяти равна половине количества транзакций в секунду. DDR4-3200 передает 3200 миллионов битов в секунду, а значит, 3200 МТ/с (МегаТранзакций в секунду) работает на частоте 1600 МГц.

Тайминги RAM измеряются в тактовых циклах или тиках. Более низкие тайминги означают меньшее количество циклов, необходимых для выполнения операции, что означает более высокую производительность. Исключением является tREFI – интервал обновления. Как следует из названия, tREFI (timeREFresh Interval) – это время между обновлениями. Пока оперативная память обновляется, она ничего не может делать, поэтому мы бы хотели обновлять ее как можно реже. Для этого время между обновлениями должно быть как можно больше. Это означает, что tREFI должен быть как можно выше.

Несмотря на то, что тайминги могут быть и низкими, производительность также зависит от частоты, на которой работает оперативная память. Например, DDR4-3000 CL15 и DDR4-3200 CL16 обладают одинаковой латентностью, несмотря на то, что у DDR4-3000 значение CL меньше. Это объясняется тем, что более высокая частота компенсирует увеличение CL.

Формула для вычисления фактического времени задержки (в наносекундах, нс) заданного тайминга выглядит так: 2000 * тайминг / ddr_speed.

DDR4-3000 с CL15 это 2000 * 15 / 3000 = 10ns
DDR4-3200 с CL16 это 2000 * 16 / 3200 = 10ns

Первостепенные, второстепенные и третьестепенные тайминги

Тайминги оперативной памяти делятся на 3 категории: первостепенные (primary), второстепенные (secondary) и третьестепенные (tertiary). Они обозначаются буквами ‘P’, ‘S’ и ‘T’ соответственно.

Первостепенные и второстепенные тайминги влияют на латентность и пропускную способность;
Третьестепенные – только на пропускную способность. Исключением является tREFI/tREF, который влияет и на пропускную способность, и на латентность. Кстати, на AMD его модифицировать нельзя.

Ожидания и ограничения

В этом разделе рассматриваются 3 компонента, влияющие на процесс разгона: микросхемы (чипы памяти), материнская плата и встроенный контроллер памяти (IMC).

Материнская плата

Самые высокие частоты достигаются на материнских платах с 2-мя слотами DIMM.

На материнских платах с 4-мя слотами DIMM максимальная частота памяти зависит от количества установленных планок.

На материнских платах, работающих с цепочечной (daisy-chain) микроархитектурой RAM, лучше использовать 2 планки памяти. Использование 4-х планок может существенно снизить максимальную частоту памяти.
Платы же с Т-образной топологией, напротив, наилучшие показатели при разгоне обеспечат с 4-мя планками. А использование 2-х планок не столь существенно повлияет на максимальную частоту памяти, как использование 4-х на daisy-chain (?).
Большинство поставщиков не указывают используемую топологию, но её можно «вычислить» на основе прилагаемого к материнской плате списка совместимых устройств (QVL – Qualified Vendor List). Например, Z390 Aorus Master, вероятно, использует Т-топологию, поскольку наибольшая частота демонстрируется с использованием 4-х модулей DIMM. Если же максимальная частота демонстрируется на 2-х модулях DIMM, то, вероятно, используется топология daisy-chain.
По словам известного оверклокера buildzoid’а, разница между Т-образной и цепочечной топологиями проявляет себя только на планках выше DDR4-4000. То есть, по логике buildzoid’а, если у вас Ryzen 3000, то топология значения не имеет, поскольку DDR4-3800 – как правило, максимум для частоты памяти при соотношении MCLK:FCLK 1:1.

Замечено также, что дешёвые материнские платы могут не разогнаться, возможно по причине низкого качества печатной платы и недостаточного количества слоёв.

Чипы памяти

Разогнать свою оперативную память можно и не вдаваясь в подробности особенностей чипов. Однако, зная, на каких микросхемах построена ваша RAM, можно понять, чего от неё ожидать.

Отчёты Thaiphoon Burner

Hynix CJR 8 Гб (одноранговая)

Micron Revision E 8 Гб (одноранговая)

Отбракованные низкосортные чипы Micron реализует под брендом SpecTek.
Многие стали называть этот чип “Micron E-die” или даже просто “E-die”. Если в первом случае ещё куда ни шло, то во втором уже возникает путаница, поскольку подобная маркировка («буква-die») используется у микросхем Samsung, например – “4 Гб Samsung E-die”. Под “E-die” обычно подразумевается чип Samsung, поэтому стоит уточнять производителя, говоря о чипах Micron Rev. E как об “E-die”.

Samsung B-die 8 Гб (двуранговая).

Наклейки на модулях

Поскольку отчет Thaiphoon может содержать некорректную информацию о микросхемах либо не содержать её вовсе, можно сверить его данные с информацией, указанной на наклейках у некоторых модулей. В настоящее время такую информацию, позволяющую идентифицировать тип микросхем, указывают только на планках Corsair, G.Skill и Kingston.

Corsair: код номера версии (Version Number)

Трёхзначный код номера версии у Корсаров поможет нам определить тип используемых микросхем.

Первая цифра – производитель:

3 = Micron
4 = Samsung
5 = Hynix
8 = Nanya

Вторая цифра – объём памяти.

1 = 2 Гб
2 = 4 Гб
3 = 8 Гб
4 = 16 Гб

Третья цифра – вариант модификации (Revision).

Полный список смотрите здесь

G.Skill: код «042»

G.Skill использует код, начинающийся с 042. Он также содержит искомую информацию о чипах

Давайте расшифруем такой код: 04213X8810B

Первое из выделенных жирным значений – это объём. 4 = 4 Гб, 8 = 8 Гб, а 16 Гб кодируется буквой S.
Второе выделенное значение кодирует производителя. 1 = Samsung, 2 = Hynix, 3 = Micron, 4 = PSC (Powerchip Semiconductors Corp), 5 = Nanya и 9 = JHICC.
Третье выделенное значение – вариант модификации (Revision).
Итак, мы получили Samsung 8 Гб B-die.

Полный список смотрите здесь.

Kingston

Код Kingston имеет такой вид: DPMM16A1823

Под выделенной жирным буквой закодирован производитель. H = Hynix, M = Micron и S = Samsung.
Следующие две цифры информируют нас о количестве рангов. 08 = одноранговая, 16 = двуранговая.
Затем идёт месяц изготовления. 1-9, A, B, C.
И следующие 2 цифры – год изготовления.
Итак, в нашем примере мы имеем двуранговую память на чипах Micron, произведённую в октябре 2018.

О рангах и объёме

Одноранговые модули обычно работают на более высоких частотах, чем двуранговые, но в зависимости от типа теста, двуранговые модули могут достигать довольно значительного превосходства в скорости по сравнению с одноранговыми благодаря приросту производительности за счет чередования рангов*. Это можно наблюдать как в синтетических тестах, так и в играх.

На новейших платформах (таких как Comet Lake и Zen3) поддержка двуранговой памяти в BIOS и контроллерах памяти значительно улучшилась. На многих платах Z490 двуранговая Samsung 8 Гб B-die (2×16 Гб) будет работать столь же быстро, как и одноранговая B-die, то есть вы получаете весь прирост производительности от чередования рангов практически без недостатков.
* Чередование рангов позволяет контроллеру памяти распараллеливать запросы к памяти, например, записывать данные на один ранг, пока другой обновляется. Этот эффект легко можно наблюдать при анализе пропускной способности на тесте копирования в AIDA64. С точки зрения контроллера памяти, не имеет значения, находится ли второй ранг на том же DIMM (два ранга на одном DIMM) или на другом DIMM (два DIMM на одном канале). Однако это имеет значение с точки зрения разгона, когда нужно учитывать особенности топологии и требования BIOS.
Наличие второго ранга также означает, что доступно в два раза больше групп банков. Из этого следует, что короткие (S) тайминги, такие как RRD_S, могут использоваться чаще, так как вероятность того, что будет доступна свободная группа банков, выше. Длинный (L) тайминг – к примеру, RRD_L – требуется, если приходится обращаться к одной и той же группе банков дважды по очереди, но когда вместо трех альтернативных банковских групп в распоряжении имеется 7, гораздо больше шансов избежать очередей.
Это также означает, что поскольку банков в два раза больше, то в любой момент времени может быть открыто в два раза больше строк памяти. Вероятность того, что нужная вам строка будет открыта – больше. Не придется так часто закрывать строку A, открывать строку B, а затем закрывать B, чтобы снова открыть A. Вы реже задерживаетесь на таких операциях, как RAS/RC/RCD (когда ждете повторного открытия закрытой строки) и RP (когда ждете закрытия строки, чтобы открыть другую).
Конфигурации с 16-разрядными чипами (x16) имеют вдвое меньше банков и групп банков по сравнению с традиционными конфигурациями x8, что означает меньшую производительность.

Объем важен при определении того, насколько можно разогнать память. К примеру, AFR 4 Гб и AFR 8 Гб разгоняться будут по-разному, несмотря на то, что называются одинаково. То же можно сказать и о Micron Rev. B, которые существует в вариантах 8 и 16 Гб. Микросхемы 16 Гб разгоняются лучше и продаются как в 16-гигабайтных модулях, так и в 8-гигабайтных, при этом в обоих случаях модули DIMM имеют по 8 чипов. Просто у 8-гигабайтных версий планок отредактирован SPD, и примером такого подхода являются топовые комплекты Crucial Ballistix (BLM2K8G51C19U4B).

С увеличением общего числа задействованных в системе рангов, возрастает и нагрузка на контроллер памяти. Обычно это означает необходимость увеличения питания, особенно напряжения VCCSA на Intel и SOC на AMD.

Масштабирование напряжения

Масштабирование напряжения попросту означает, как чип реагирует на изменение напряжения.

Во многих микросхемах tCL масштабируется с напряжением, что означает, что увеличение напряжения может позволить вам снизить tCL. В то время как tRCD и tRP на большинстве микросхем, как правило, не масштабируются с напряжением, а это означает, что независимо от того, какое напряжение вы подаёте, эти тайминги не меняются. Насколько известно, tCL, tRCD, tRP и, возможно, tRFC могут (либо не могут) видеть масштабирование напряжения.

Аналогичным образом, если тайминг масштабируется с напряжением, это означает, что вы можете увеличить напряжение, чтобы соответствующий тайминг работал на более высокой частоте.

Масштабирование напряжения CL11:

На графике видно, что tCL у CJR 8 Гб масштабируется с напряжением почти ровно до DDR4-2533.
У Samsung B-die мы видим идеально-ровное масштабирование tCL с напряжением.
Столь же ровное масштабирование tCL с напряжением наблюдается у Micron Rev. E.
Мы использовали эти данные в калькуляторе. Изменяя ползунки f и v на нужные нам частоту и напряжение, калькулятор вычисляет частоты и напряжения, достижимые при заданном CL (предполагается, что CL линейно масштабируется до 1,50 В). Например, DDR4-3200 CL14 при напряжении 1,35 В может работать как

DDR4-3333 CL14 при 1,40 В,

Масштабирование напряжения tRFC у B-die.

Видно, что tRFC довольно хорошо масштабируется на B-die.

Некоторые старые чипы Micron (до 8 Гб Rev. E) известны своим отрицательным масштабированием с напряжением. То есть при повышении напряжения (как правило, выше 1,35 В) они становятся нестабильными на тех же таймингах и частоте.

Ниже приведена таблица протестированных чипов, показывающая, какие тайминги в них масштабируются с напряжением, а какие нет:

Чип	tCL	tRCD	tRP	tRFC
Hynix 8 Гб AFR	Да	Нет	Нет	?
Hynix 8 Гб CJR	Да	Нет	Нет	Да
Hynix 8 Гб DJR	Да	Нет	Нет	Да
Micron 8 Гб Rev. B	Да	Нет	Нет	Нет
Micron 8 Гб Rev. E	Да	Нет	Нет	Нет
Micron 16 Гб Rev. B	Да	Нет	Нет	Нет
Nanya 8 Гб B-die	Да	Нет	Нет	Нет
Samsung 4 Гб E-die	Да	Нет	Нет	Нет
Samsung 8 Гб B-die	Да	Да	Да	Да
Samsung 8 Гб D-die	Да	Нет	Нет	Нет

Тайминги, которые не масштабируются с напряжением, как правило необходимо увеличивать с частотой.

Ожидаемая максимальная частота

Ниже приведена таблица предполагаемых максимальных частот некоторых популярных чипов:

Чип	Ожидаемая максимальная частота(МТ/с)
Hynix 8 Гб AFR	3600
Hynix 8 Гб CJR	4133*
Hynix 8 Гб DJR	5000+
Nanya 8 Гб B-die	4000+
Micron 8 Гб Rev. B	3600
Micron 8 Гб Rev. E	5000+
Micron 16 Гб Rev. B	5000+
Samsung 4 Гб E-die	4200+
Samsung 8 Гб B-die	5000+
Samsung 8 Гб D-die	4200+

* – результаты тестирования CJR получился несколько противоречивыми. Тестировали 3 одинаковых планки RipJaws V 3600 CL19 8 Гб. Одна из них работала на частоте DDR4-3600, другая – на DDR4-3800, а последняя смогла работать на DDR4-4000. Тестирование проводилось на CL16 с 1,45 В.
Не ждите, что одинаковые, но разнородные по качеству, чипы производителя одинаково хорошо разгонятся. Это особенно справедливо для B-die.
Указанные значения следует понимать как усредненные возможности чипа, не забывая о других факторах, существенно влияющих на достижимость этих показателей, таких как материнская плата и процессор.

Биннинг

Суть биннинга заключается в разделении производителем полученной на выходе продукции «по сортам», качеству. Как правило, сортировка производится по демонстрируемым при тестировании характеристикам производительности.

Чипы, показывающие одну частоту, производитель отделяет в одну «коробку», другую частоту – в другую «коробку». Отсюда и название процедуры – “binning” (bin – ящик, коробка). Подробно об этом писали в статье: «Что такое биннинг? В погоне за лучшими чипами».

G.Skill – один из производителей, известных своим развитым биннингом и категоризацией. Нередко несколько различных товарных позиций G.Skill входят в один и тот же заводской бин (например, DDR4-3600 16-16-16-36 1,35 В B-Die входит в тот же бин, что и DDR4-3200 14-14-14-34 1,35 В B-Die).

B-die из коробки «DDR4-2400 15-15-15» намного хуже чем из коробки «DDR4-3200 14-14-14» или даже из «DDR4-3000 14-14-14». Так что не ждите, что третьесортный B-die даст образцовые показатели масштабирования напряжения.

Чтобы выяснить, какой из одинаковых чипов обладает лучшими характеристиками на одном и том же напряжении, нужно найти немасштабируемый с напряжением тайминг.

Просто разделите частоту на этот тайминг, и чем выше значение, тем выше качество чипа.

Например, Crucial Ballistix DDR4-3000 15-16-16 и DDR4-3200 16-18-18 оба на чипах Micron Rev. E. Если мы разделим частоту на масштабируемый с напряжением тайминг tCL, мы получим одинаковое значение (200). Значит ли это, что обе планки – одного сорта? Нет.

А вот tRCD не масштабируется с напряжением, значит его необходимо увеличивать по мере увеличения частоты.

3000/16 = 187,5 против 3200/18 = 177,78.

Как видите, DDR4-3000 15-16-16 более качественный чип, нежели DDR4-3200 16-18-18. Это означает, что чипы DDR4-3000 15-16-16 очевидно смогут работать и как DDR4-3200 16-18-18, а вот смогут ли DDR4-3200 16-18-18 работать как DDR4-3000 15-16-16 – не факт. В этом примере разница в частоте и таймингах невелика, так что разгон этих планок будет, скорее всего, очень похожим.

Максимальное рекомендованное повседневное напряжение

Спецификация JEDEC JESD79-4B указывает (стр. 174), что абсолютный максимум составляет 1,50 В

Напряжения, превышающие приведенные в разделе «Абсолютные максимальные значения», могут привести к выходу устройства из строя. Это только номинальная нагрузка, и функциональная работа устройства при этих или любых других условиях выше тех, которые указаны в соответствующих разделах данной спецификации, не подразумевается. Воздействие абсолютных максимальных номинальных значений в течение длительного периода может повлиять на надежность.

В соответствии со спецификацией DDR4, это значение является официальным максимумом, на который должна быть рассчитана вся DDR4 память, однако многие микросхемы не способны справиться с такими высокими напряжениями длительное время. Samsung 8 Гб C-die может деградировать уже при напряжении всего 1,35 В, несмотря на соблюденные условия по тепловому режиму и качеству питания. С другой стороны, такие чипы как Hynix 8 Гб DJR или Samsung 8 Гб B-Die, выдерживают ежедневное напряжение, значительно превышающее 1,55 В. Выясните, какие напряжения безопасны именно для вашего чипа, либо же придерживайтесь напряжения в районе 1,35 В. И не забывайте про «кремниевую лотерею», то есть всё в определённой степени индивидуально. Будьте осторожны.

Одним из общих факторов, ограничивающих максимальное безопасное напряжение, с которым вы можете работать, является архитектура вашего процессора. Согласно JEDEC, VDDQ – напряжение вывода данных, – привязано к VDD, в просторечии называемому VDIMM или напряжением DRAM. Это напряжение взаимодействует с PHY (физическим уровнем) в CPU, и может привести к длительной деградации IMC, если установлено слишком высокое значение. Поэтому не рекомендуется повседневное использование напряжения VDIMM выше 1,60 В на Ryzen 3000 и 5000 или 1,65 В на процессорах Intel серии Comet Lake. Будьте осторожны, поскольку деградацию PHY у процессора измерить или заметить трудно, пока проблема не станет серьезной.

Для продуктов с заявленным напряжением 1,60 В вероятно безопасно использовать повседневное напряжение 1,60 В. Также, B-Die, 8 Гб Rev. E, DJR и 16 Гб Rev. B должны нормально работать с повседневным напряжении 1,60 В, при условии активного воздушного охлаждения. Повышение напряжения приводит к повышению тепловыделения, а высокая температура сама по себе снижает порог безопасного напряжения.

Ранговость

Ниже показано, как самые распространенные чипы ранжируются с точки зрения частоты и таймингов.

Оценка	Чипы	Описание
S	Samsung 8 Гб B-Die	Лучший DDR4 чип для универсальной производительности
A	Hynix 8 Гб DJR, Micron 8 Гб Rev. E*, Micron 16 Гб Rev. B	Высокопроизводительные чипы. Известны тем, что не холостят на степпингах (‘clockwall’) и обычно хорошо масштабируются с напряжением.
B	Hynix 8 Гб CJR, Samsung 4 Гб E-Die, Nanya 8 Гб B-Die	Чипы высокого класса, способные работать на высоких частотах с хорошими таймингами.
C	Hynix 8 Гб JJR, Hynix 16 Гб MJR, Hynix 16 Гб CJR, Micron 16 Гб Rev. E, Samsung 8 Гб D-Die	Достойные чипы с хорошей производительностью и неплохим масштабированием по частоте.
D	Hynix 8 Гб AFR, Micron 8 Гб Rev. B, Samsung 8 Гб C-Die, Samsung 4 Гб D-Die	Микросхемы низкого класса, обычно встречающиеся среди дешевых предложений. Большинство из них сняты с производства и более не актуальны.
F	Hynix 8 Гб MFR, Micron 4 Гб Rev. A, Samsung 4 Гб S-Die, Nanya 8 Гб C-Die	Плохие чипы, неспособные уверенно дотянуть даже до требований базовой спецификации JEDEC.

Частично на основе оценок Buildzoid, но из-за давности его публикации, некоторые чипы не включены в наш список.
Модификации ревизии 8 Гб Rev. E в основном различаются по минимально-достижимому tRCD и максимально-достижимой скорости без изменения VTT, с сохранением стабильности. Как правило, более новые редакции 8 Гб Rev. E (C9BKV, C9BLL и т.д.) обеспечивают более короткий tRCD и более высокую тактовую частоту без изменения VTT.

Температура и её влияние на стабильность

В целом, чем сильнее греется ваша оперативная память, тем менее стабильно она будет работать на высоких частотах и/или низких таймингах.

Тайминги tRFC очень сильно зависят от температуры, поскольку они связаны с утечкой конденсатора, вызванной температурой. При повышении температуры требуются более высокие значения tRFC. tRFC2 и tRFC4 – это тайминги, которые активируются, когда рабочая температура DRAM достигает 85°C. Ниже этих температур эти тайминги ничего не делают.

B-Die чувствительны к температуре, их идеальный диапазон

30-40°C. Некоторые экземпляры могут выдерживать и больше, это уж как повезёт. В свою очередь Rev. E, похоже, к температуре не столь чувствителен.

Вы можете столкнуться с ситуацией, когда при выполнении теста памяти все работает стабильно, а во время игры – крашит. Это происходит потому, что CPU и/или GPU во время игры выделяют больше тепла внутри корпуса, повышая при этом и температуру оперативной памяти. Поэтому для имитации стабильности в играх рекомендуется провести стресс-тест GPU во время выполнения теста памяти.

Встроенный контроллер памяти (IMC)

Intel: LGA1151

IMC Skylake от Intel достаточно устойчивый, поэтому при разгоне он не должен быть узким местом. Ну а чего ещё ждать от 14+++++ нм?

IMC Rocket Lake, если не считать ограничений, касающихся поддержки памяти Gear 1 и Gear 2, имеет самый сильный контроллер памяти среди всех потребительских процессоров Intel, причем с большим отрывом.

Для разгона RAM необходимо изменить два напряжения: System Agent (VCCSA) и IO (VCCIO). НЕ оставляйте их в режиме “Auto”, так как они могут подать опасные уровни напряжения на IMC, что может ухудшить его работу или даже спалить его. Большую часть времени можно держать VCCSA и VCCIO одинаковыми, но иногда перенапряжение может нанести ущерб стабильности, что видно из скриншота. Я не рекомендовал бы подниматься выше 1,25 В на обоих.

Ниже предлагаемые значения VCCSA и VCCIO для двух одноранговых модулей DIMM:

Мы не рекомендовали бы подниматься выше 1,25 В на обоих.

Ниже – предлагаемые значения VCCSA и VCCIO для двух одноранговых модулей DIMM:

Частота (МГц)	VCCSA/VCCIO (В)
3000-3600	1,10 – 1,15
3600-4000	1,15 – 1,20
4000-4200	1,20 – 1,25
4200-4400	1,25 – 1,30

* — Если модулей больше, и/или используются двуранговые модули, то может потребоваться более высокое напряжение VCCSA и VCCIO.

tRCD и tRP взаимосвязаны, то есть, если вы установите tRCD на 16, а tRP на 17, то оба будут работать с более высоким таймингом (17). Это ограничение объясняет, почему многие чипы работают не очень хорошо на Intel и почему для Intel лучше подходит B-die. В UEFI Asrock и EVGA оба тайминга объединены в tRCDtRP. В UEFI ASUS tRP скрыт. В UEFI MSI и Gigabyte tRCD и tRP видны, но попытка установить для них разные значения приведет просто к установке более высокого значения для обоих.

Ожидаемый диапазон латентности памяти: 40-50 нс.

Ожидаемый диапазон латентности памяти для Samsung B-Die: 35-45 нс.
В целом, латентность варьируется от поколения к поколению из-за разницы в размере кристалла (кольцевой шины). В результате, 9900K будет иметь немного меньшую задержку, чем 10700K при тех же настройках, поскольку у 10700K и 10900K кристаллы одинаковы.
Латентность зависит от значений RTL и IOL. Вообще говоря, ориентированные на разгон, да и просто качественные материнки имеют максимально короткие маршруты передачи данных и, соответственно, достаточно низкие RTL и IOL. На некоторых материнских платах изменение RTL и IOL не оказывает никакого влияния.

AMD: AM4

MCLK: Master clock, реальная тактовая частота памяти (половина эффективной скорости RAM). Например, для DDR4-3200 частота MCLK равна 1600 МГц.
FCLK: Infinity Fabric clock, частота шины Infinity Fabric.
UCLK: Unified memory controller (UMC) clock, частота контроллера памяти. Половина частоты MCLK, если MCLK и FCLK не равны (десинхронизированный режим, 2:1).
На Zen и Zen+ MCLK = FCLK = UCLK. Однако в Zen2 и Zen3 значение частоты FCLK можно менять. Если MCLK равен 1600 МГц (DDR4-3200) и вы установите FCLK на 1600 МГц, UCLK также будет 1600 МГц, если вы не установите соотношение MCLK:UCLK 2:1 (режим часто называется UCLK DIV MODE, хотя известны и другие названия). Однако, если вы установите FCLK на 1800 МГц, то UCLK будет работать на частоте половины от MCLK – 800 МГц (десинхронизированный режим).
В Ryzen 1000 и 2000 IMC несколько привередлив к разгону и может не дать столь же высоких частот, как Intel. IMC Ryzen 3000 и 5000 намного лучше и более-менее наравне с новыми процессорами Intel на базе Skylake, т.е. 9-го и 10-го поколения.
SoC voltage – это напряжение для IMC, и, как и в случае с Intel, не рекомендуется оставлять его в “Auto” режиме. Типичный диапазон этого значения 1,0 – 1,1 В. Более высокие значения, как правило, допустимы, и они могут оказаться необходимы для стабилизации памяти большого объёма, а также могут помочь стабилизировать FCLK.
С другой стороны, неоправданно высокое напряжение SoC может наоборот дестабилизировать память. Такое обычно происходит между 1,15 В и 1,25 В на большинстве процессоров Ryzen.

В Ryzen 3000 есть также CLDO_VDDG (часто сокращается до VDDG, чтобы не путать с CLDO_VDDP), которое является напряжением для Infinity Fabric. Напряжение SoC должно быть, по крайней мере, на 40 мВ выше CLDO_VDDG, поскольку CLDO_VDDG формируется из напряжения SoC. В AGESA версии 1.0.0.4 и новее VDDG разделяется на VDDG IOD и VDDG CCD – для связующего кристалла ввода-вывода (I/O Die) и кристалл-чиплетов Сore Сomplex Die, соответственно.

1,01 В. Аналогично, если вы установили VDDG на 1.10 В и начнете повышать напряжение SoC, ваш VDDG вольтаж будет также повышаться. Точных цифр у меня нет, но можно предположить, что минимальное падение напряжения (Vin-Vout) составляет около 40 мВ. Из чего следует, что ваш ФАКТИЧЕСКИЙ вольтаж SoC должен быть, по крайней мере, на 40 мВ выше желаемого VDDG, чтобы ваша настройка VDDG вступила в силу.
Регулировка напряжения SoC сама по себе, в отличие от других регулировок, мало что даёт вообще. По умолчанию установлено значение 1.10 В, и AMD не рекомендует менять это значение. Увеличение VDDG в некоторых случаях помогает при разгоне матрицы, но не всегда. FCLK 1800 МГц должен быть выполнимым при значении по умолчанию 0,95 В, и для расширения пределов может быть полезно увеличить его до = <1,05 В (1,100 — 1,125 В SoC, в зависимости от нагрузки).
Источник: The Stilt

Ниже приведены ожидаемые диапазоны частот памяти для двух одноранговых модулей DIMM при условии отсутствия проблем со стороны материнской платы и чипов:

Ryzen	Ожидаемая частота (МГц)
1000	3000-3600
2000	3400-3800*
3000	3600-3800 (1:1 MCLK:FCLK) 3800+ (2:1 MCLK:FCLK)

Если модулей больше, и/или используются двуранговые модули, ожидаемая частота может быть ниже.
* – 3600+ обычно достигается при 1 DIMM на канал (DPC), материнской плате с 2 слотами DIMM и если используются очень хорошие IMC. См. таблицу: https://docs.google.com/spreadsheets/d/1dsu9K1Nt_7apHBdiy0MWVPcYjf6nOlr9CtkkfN78tSo/edit#gid=1814864213
* – DDR4-3400…DDR4-3533 – это максимум, если не всё, на что способны IMC Ryzen 2000.
Количество протестированных образцов по максимально достижимой частоте памяти распределилось следующим образом: DDR4-3400 – 12.5% образцов; DDR4-3466 – 25.0% образцов; DDR4-3533 – 62.5% образцов
Процессоры Ryzen 3000 с двумя CCD-чиплетами (3900X и 3950X) предпочитают 4 одноранговые планки вместо 2 двуранговых. Для моделей с двумя CCD конфигурация «2 одноранговых DIMM на канал», кажется, является наиболее подходящим вариантом. И 3600, и 3700X достигли 1800 МГц UCLK при конфигурации «1 двуранговый DIMM на канал», но в 3900X, скорее всего, из-за рассогласованности двух его CCD, едва удалось достичь 1733 МГц на этой конфигурации. В то время как с двумя однорангами на канал нет никаких проблем в достижении 1866 МГц FCLK/UCLK.

tRCD делится на tRCDRD (чтение) и tRCDWR (запись). Обычно есть возможность уменьшить tRCDWR по отношению к tRCDRD, но я не заметил каких-либо улучшений производительности от понижения tRCDWR. Так что лучше держать их одинаковыми.

Geardown Mode (GDM) автоматически включается на скорости выше DDR4-2666, что обеспечивает четность tCL, четность tCWL, четность tRTP, четность tWR и CR 1T. Если вы хотите выставить нечетный tCL, отключите GDM. При нестабильной работе попробуйте использовать CR 2T, но это может свести на нет прирост производительности за счет снижения tCL, и даже к менее стабильной работе, чем с включенным GDM. К примеру, если вы попытаетесь запустить DDR4-3000 CL15 с включенным GDM, CL будет округлено до 16. В понятиях производительности это выглядит так: GDM откл CR 1T > GDM вкл CR 1T > GDM откл CR 2T.

У процессоров Ryzen 3000 с одним CCD (процессоры серий ниже 3900X) пропускная способность записи вдвое меньше.

Ожидаемый диапазон латентности памяти:

Ryzen	Латентность (нс)
1000	65-75
2000	60-70
3000	65-75 (1:1 MCLK:FCLK) 75+ (2:1 MCLK:FCLK)

Достаточно высокий FCLK у Ryzen 3000 и 5000 может компенсировать потери от десинхронизации MCLK и FCLK, при условии, что вы можете назначить MCLK для UCLK.

Разгон

Дисклеймер: потенциал разгона сильно зависит от «кремниевой лотереи» (чип чипу рознь), поэтому могут быть некоторые отклонения от моих предложений.

Предупреждение: При разгоне оперативной памяти возможно повреждение данных. Рекомендуется периодически проводить проверку целостности системных файлов с помощью sfc /scannow.

Процесс разгона достаточно прост и выполняется в 3 шага:

Выставляются очень большие (ослабленные) тайминги.
Увеличивается частота DRAM до появления признаков нестабильности.
Выставляются оптимально-малые («жесткие», «подтянутые») тайминги.

Нахождение максимальной частот

1. На Intel следует начинать с 1.15В на VCCSA и VCCIO. На AMD с 1.10В SoC

Напряжение SoC может называться по-разному в зависимости от производителя:

Asrock: CPU VDDCR_SOC Voltage. Если не можете найти такое, используйте SOC Overclock VID в подменю AMD CBS. Значения VID (Voltage ID);
Asus: VDDCR SOC;
Gigabyte: (Dynamic) Vcore SOC. Обратите внимание, что Dynamic Vcore SOC это добавочное напряжение. Базовое напряжение изменяется автоматически при увеличении частоты DRAM. Напряжение 0,10 В на DDR4-3000 может привести к фактическому напряжению 1,10 В, а 0,10 В на DDR4-3400 приводит уже к фактическому напряжению 1,20 В;
MSI: CPU NB/SOC.

2. Установите напряжение DRAM 1,4 В. Если у вас чипы спотыкаются об 1,35 В, то ставьте 1,35 В.

«Спотыкаются» – имеется в виду работают нестабильно при попытках увеличить вольтаж, иногда вплоть до отказа при аппаратном самотестировании (POST).
Список чипов, спотыкающихся на 1,35 В включает (но не ограничивается) следующие: 8 Гб Samsung C-die, ранние чипы Micron/SpecTek (до 8 Гб Rev. E).

3. Выставите основные тайминги следующим образом: 16-20-20-40 (tCL-tRCD-tRP-tRAS), а tCWL на 16.

Большинству чипов требуется ослабить tRCD и/или tRP, потому я и рекомендую 20.
Подробнее об этих таймингах читайте тут (на англ.)

4. Постепенно увеличивайте частоту DRAM до тех пор, пока Windows не откажет. Помните об ожидаемых максимальных частотах, упомянутых выше.

На Intel, быстрый способ узнать, нестабильны ли вы, это следить за значениями RTL и IOL. Каждая группа RTL и IOL соответствует каналу. В каждой группе есть 2 значения, которые соответствуют каждому DIMM. Поскольку обе планки стоят во вторых слотах каждого канала, нужно посмотреть на D1 в каждой группе RTL и IOL. Значения RTL у планок не должны разниться между собой более чем на 2, а значения IOL более чем на 1. В нашем случае, RTL разнятся ровно на 2 (53 и 55), а значения IOL не разнятся вовсе (7 у обоих планок). Все значения в пределах допустимых диапазонов, однако имейте в виду, что это ещё не значит, что всё действительно стабильно.
На Ryzen 3000 или 5000 – убедитесь, что частота Infinity Fabric (FCLK) установлена равной половине вашей действующей частоты DRAM.

5. Запустите тест памяти на свой выбор.

Windows потребуется около 2 Гб памяти для проведения тестирования, поэтому обязательно учтите это при вводе тестируемого объема ОЗУ, если предусмотрен ручной ввод. У нас 16 Гб RAM, из которых обычно тестируется 14000 Мб.

Минимальные рекомендуемые значения Coverage/Runtime:

MemTestHelper (HCI MemTest): 200% на поток.
Karhu RAMTest: 5000%. Убедитесь, что на вкладке “Advanced” кэш процессора включен (CPU cache: Enabled). Это ускорит тестирование на

6. При зависании/краше/BSOD, верните частоту DRAM на ступень ниже и повторите тестирование.

7. Сохраните ваш профиль разгона в UEFI.

8. Теперь вы можете либо попытаться перейти на ещё более высокую частоту, либо начать подтягивать тайминги. Не забывайте об ожидаемых максимальных частотах, о которых мы говорили ранее. Если вы достигли пределов возможностей чипа и/или IMC, то самое время заняться оптимизацией таймингов.

Пробуем повысить частоты

Этот раздел актуален только если вы ещё не достигли пределов возможностей своей материнской платы, чипов и IMC. И он не для тех, у кого проблемы со стабилизацией частот в ожидаемом диапазоне.

Обратите внимание, что некоторые платы имеют автоматические правила, которые могут препятствовать вашему вмешательству. Например, наличие правила tCWL = tCL — 1 может привести к нечетному значению tCWL. Раздел «Дополнительные советы» может помочь вам получить представление конкретно о вашей платформе и функциональности вашей материнской платы.

Повысьте вольтажи VCCSA и VCCIO до 1,25 В.
Установите командный тайминг (“Command Rate”, CR) на 2T, если ещё не установлен.
Поменяйте значение tCCDL на 8. В UEFI Asus’ов нет возможности менять этот тайминг.

Рассинхронизация MCLK и FCLK может привести к значительному ухудшению таймингов, поэтому вам лучше не оптимизировать их, чтобы сохранить MCLK:FCLK 1:1. Подробнее об этом см. выше, раздел AMD – AM4.
Либо же установите FCLK на стабильное значение (если не уверены, установите на 1600 МГц).

2. Увеличьте основные тайминги до 18-22-22-42, а tCWL до 18.

3. Повысьте вольтаж DRAM до 1,45 В, если чип позволяет.

4. Выполните шаги 4-7 из раздела «Определение исходного уровня».

5. Выполните оптимизацию («подтягивание») таймингов.

Оптимизация таймингов

Обязательно после каждого изменения запускайте тест памяти и бенчмарк-тест, чтобы убедиться в повышении производительности. Мы бы рекомендовали выполнять бенчмарк-тесты 3-5 раз и усреднять результаты, так как тесты памяти могут немного отличаться.

Теоретическая максимальная пропускная способность (Мб/с) = Transfers per clock * Actual Clock * Channel Count * Bus Width * Bit to Byte ratio (Транзакций за такт*фактическая частота*количество каналов*ширина шины*соотношение битов к байтам).

Transfers per clock – Передача данных за такт означает количество передач данных (транзакций), которое может произойти за один полный тактовый цикл памяти. В оперативной памяти DDR это происходит дважды за цикл – по нарастающему и спадающему фронтам тактовых импульсов.
Actual Clock – фактическая частота памяти, измеряемая в МГц. Обычно эта частота отображается как реальная частота памяти такими программами, как CPU-Z.
Channel Count – количество каналов памяти вашего процессора.
Bus Width – ширина каждого канала памяти (шины), измеряемая в битах. Начиная с DDR1, это всегда 64 бита.
Bit to Byte ratio – соотношение битов к байтам это постоянная величина, равная 1/8 (0,125).

Значения пропускной способности чтения и записи должны составлять 90-98% от теоретической максимальной пропускной способности.

На процессорах Ryzen 3000/5000 с одним CCD пропускная способность записи должна составлять 90-98% от половины теоретической максимальной пропускной способности. Можно достичь половины теоретической максимальной пропускной способности записи.
Процент теоретически максимальной пропускной способности обратно пропорционален большинству таймингов памяти. Другими словами, по мере сокращения таймингов оперативной памяти, этот процент будет увеличиваться.

1. Мы бы рекомендовали для начала подтянуть некоторые второстепенные тайминги в соответствии с таблицей ниже, поскольку они могут ускорить тестирование памяти.

Надёжно (Safe)

Оптимально (Tight)

Предельно (Extreme)

Минимальное значение, при котором снижение tFAW возымеет эффект на производительность RAM, должно равняться 4-х кратному значению tRRDS либо tRRDL – в зависимости от того, какой из них меньше.
Необязательно, чтобы все тайминги выставлялись в одном пресете. Вы, например, можете выставить tRRDS tRRDL tFAW в пресете “Tight”, а tWR – в пресете “Extreme”.
На некоторых Intel-овских материнских платах tWR в UEFI ничего не делает, вместо него реальный контроль осуществляет tWRPRE (иногда tWRPDEN). Уменьшение tWRPRE на 1 приведет к уменьшению tWR на 1, следуя правилу tWR = tWRPRE — tCWL — 4.

2. Далее идёт tRFC. По умолчанию для чипов 8 Гб установлено значение 350 нс (обратите внимание на единицу измерения).

Примечание: Перетягивание tRFC может привести к зависанию/блокировке системы.
tRFC – это количество циклов, за которые происходит сброс или перезарядка конденсаторов DRAM. Поскольку разрядка конденсаторов пропорциональна температуре, то для памяти, работающей при высоких температурах, могут потребоваться значительно более высокие значения tRFC.
Перевод в нс: 2000*timing/ddr_speed.
Перевод из нс (то, что прописывается в UEFI): ns*ddr_speed/2000. Пример: 180 нс на DDR4-3600 = 180*3600/2000 = 324, соответственно в UEFI вам нужно ввести значение 324
Ниже приведена таблица типичных значений tRFC в нс для наиболее распространенных чипов:

Как разогнать оперативную память и зачем это делать

После установки оперативная память работает на минимальной частоте. Купив планку ОЗУ с тактовой частотой 2400 МГц, можно с удивлением обнаружить, что она функционирует на 1600 МГц.

Зачем добиваться максимальной производительности оперативной памяти

Чем больше МГц, тем выше пропускная способность чтения и записи, больше операций выполняется за одну секунду. Архивация файлов с помощью WinRAR происходит на 40% быстрее. В этом обзоре наглядно показано, как влияет разгон Kingston HyperX FURY на скорость обработки информации.

Чтобы сэкономить себе время на поиски оптимального тайминга, можно воспользоваться программой «Drum Calculator for ryzen». ОЗУ, работающая с минимальным таймингом и максимальной частой, больше нагружает процессор, что отражается на количестве FPS в играх. Пример использования калькулятора и удачного разгона здесь.

А здесь можно посмотреть детальное и полномасштабное тестирование изменения частот и таймингов с приростом 6–14 FPS.

Совместимость

Оперативная память работает на частоте самого медленного модуля. Если установлено несколько планок разных производителей или серий, может возникнуть конфликт совместимости, тогда операционная система не запустится.

Чтобы выжать из железа максимум, надо устанавливать модули памяти из одной серии. В этом обзоре показана разница между двухканальным и одноканальным режимом работы ОЗУ.

В двухканальном режиме необходимо устанавливать планку через один слот. Тут продемонстрирована комплексная работа планок оперативки из одной серии.

Правила разгона

Не все материнские платы поддерживают разгон. Китайские «ноунеймы» в особенности любят блокировать возможность увеличить производительность вручную, оставляя только автоматическое поднятие частот.

Turbo Boost — это всегда разгон в щадящем режиме, протестированный производителем и максимально безопасный. Чтобы получить производительности на 5–10% больше, потребуется поработать ручками. Контроллер памяти процессора не даст разогнать оперативную память выше собственных параметров частоты.

Спасительная кнопка отката

Вывести из строя оперативную память, меняя частоту — невозможно. Со слишком высокими параметрами ПК просто не запустится. Если после нескольких загрузок все еще появляется «синий экран смерти», необходимо сбросить настройки на заводские параметры. Делается это с помощью перемычки «CLR CMOS», на некоторых материнках он подписан, как «JBAT».

Настройка частоты и тайминги памяти

Есть два способа разгона — автоматический и ручной. Первый вариант безопасен, второй позволяет добиться большей производительности, но есть риск сбоя ОС и физического повреждения ОЗУ. Для увеличения частоты оперативной памяти используется BIOS.

Автоматическая настройка

Специальное программное обеспечение «Extreme Memory Profiles» для процессоров Intel позволяет быстро настроить уже готовые профили разгона. У фанатов AMD есть свой софт от MSI. Применяя автоматические настройки, мы получаем оптимальные параметры задержки.

Разгон серверной ОЗУ

Рассмотрим автонастройки частоты на примере материнской платы x79 LGA2011 с процессором Intel Xeon E5-2689. Серверная оперативная память — 2 планки Samsung по 16 Gb с частотой 1333 MHz, работающие в двухканальном режиме, тайминг — 9-9-9-24.

Путь к разгону лежит через BIOS, вкладка «Chipset», раздел «Northbridge» — параметры северного моста.

Выбираем настройку «DDR Speed». Параметр «Auto» меняем на «Force DDDR3 1600». Сохраняем, перезагружаемся. Запускаем тест в программе AIDA 64, выбрав в меню «Сервис» задачу «Тест кэша и памяти», затем жмем «Start Benchmark».

В синтетическом тесте скорость чтения, записи и копирования увеличилась почти на 20%. «Memory Bus» поднялся до 800 MHz, тайминг — 11-11-11-28.

Возвращаемся в BIOS, ставим «Force DDDR3 1866».

При таких настройках прирост производительности достигает 39%. Процессор разогнался автоматически с 2600 MHz до 3292,5 MHz, прирост CPU составил 26%, параметры тайминга — 12-12-12-32.

Разгон с помощью профиля XMP от MSI

В современные планки ОЗУ устанавливается SPD-чип с предустановленными профилями разгона, позволяя увеличивать частоту до 3200 MHz. Для разгона такой оперативки выбираем функцию «XMP» в BIOS.

Опускаемся вниз, не трогая остальные настройки, указываем «Профиль 1». Сохраняем изменения, тестируем в Benchmark.

Ручная настройка

Включаем компьютер. Для перехода в BIOS нажимаем клавишу «F1» или «Delete» — в зависимости от материнки. Переходим в раздел, отвечающий за центральный процессор и оперативную память, ищем строку с параметром частоты ОЗУ.

Если в BIOS есть пункт «MB Intelligent Tweaker (M.I.T.)», нажимаем «Ctrl + F1» в главном меню — должна появиться еще одна категория с настройками. В ней находим строку «System Memory Multiplier».

Если пункта M.I.T. нет, скорей всего, используется «AMI BIOS». Ищем вкладку «Advanced BIOS Features», переходим к параметру «Advanced DRAM Configuration».

Если установлен «UEFI BIOS», нажимаем «F7» — раздел «Advanced Mode», переходим к вкладке «Ai Tweaker», изменяем частоту, используя выпадающее меню «Memory Frequency».

Метод научного тыка

Теперь рассмотрим подробнее, как разогнать частоту, тайминг. Сразу «давить на газ» не стоит, параметр частоты увеличиваем плавно. Для сохранения нажимаем «F10», перезагружаемся и смотрим результаты с помощью теста Benchmark в AIDA 64 или в другой программе. Универсальных параметров разгона ОЗУ нет, данные ниже предоставлены для ориентира.

Параметр «System Memory Multiplier» позволяет разогнать ОЗУ, изменяя множитель. При изменении частоты, автоматически меняются и базовые тайминги.

Поиграв с вариациями частоты, переходим к нижней строчке «DRAM Timing Control», выставляем тайминги, переключившись с режима «Auto» на желаемые параметры.

Управление временем

Высокая частота и низкие тайминги позволяют увеличить производительность, высокие тайминги и высокая частота — снижают ее. Тайминги или задержка — это количество тактовых импульсов для выполнения операций ОЗУ. Уменьшаем значения с минимальным шагом — 0,5. Получив повышение показателей производительности, можно продолжить, снизив время отклика. Подбирать правильные настройки придется методом проб и ошибок.

Повысить производительность оперативки можно, увеличивая напряжение с помощью параметра «Voltage Setting», безопасно 1.2–1.35 В, максимум — 1.6 В. С этим пунктом стоит быть очень острожным, электричество — не игрушки, есть риск спалить ОЗУ и потерять гарантию.

Увеличение частоты оперативной памяти с помощью готовых профилей — самый простой и быстрый способ получить желаемую производительность. Вариант с ручными настройками больше подходит энтузиастам, для которых дополнительный прирост быстродействия на дополнительные 10–15% — дело принципа.

Тайминги оперативной памяти: как узнать и настроить

Тайминги оперативной памяти

Тайминг ОЗУ — это набор параметров, которые определяют, насколько быстро модуль оперативной памяти может получать доступ к данным и доставлять их. Тайминг оперативной памяти устанавливается производителем и определяется в спецификациях устройства. Они сказываются на эффективности оперативной памяти и могут повлиять на скорость работы системы. Более быстрые показатели способны привести к более быстрому доступу к информации и их передаче, но они также имеют увеличенную стоимость.

Важны ли тайминги оперативной памяти?

Тайминги ОЗУ важны, поскольку они могут повлиять на общую производительность персонального компьютера. Они имеют непосредственное отношение к задержке между моментом, когда делается запрос на доступ к данным из RAM чипов, и моментом, когда данные фактически доступны для использования.

Однако важно отметить, что такой фактор, как скорость оперативной памяти, также может влиять на эффективность.

Как узнать тайминги оперативной памяти?

Самый простой способ узнать тайминги — проверить спецификации. Эта информация доступна пользователю на упаковке продукта или на сайте производителя. Если же доступа к упаковке нет, используется уже собранный персональный компьютер или ноутбук, то очень часто можно найти характеристики скорости в системном БИОС или прошивке UEFI.

Проверка таймингов оперативной памяти

Чтобы получить доступ к этим данным, необходимо перезагрузить компьютер и войти в утилиту настройки BIOS/UEFI, нажав определенную клавишу во время процесса загрузки. Стандартный вариант требует нажатия либо F2, либо F10 или Delete (на выбор). Когда вы окажетесь в утилите настройки, найдите раздел с надписью «Память» или «ОЗУ» — это должно дать доступ к необходимой информации.

Если персональный компьютер собирался самостоятельно или была проведена замена планки оперативки, можно использовать сторонние программные утилиты, чтобы узнать тайминги памяти. CPU-Z — один из самых популярных вариантов, который может предоставить подробную информацию об аппаратном обеспечении устройства.

Расшифровка таймингов

Такие характеристики обычно представляются в виде ряда чисел, например «CL16-18-18-38» или «16-16-16-39». Эти цифры относятся к различным аспектам производительности оперативной памяти таким, как частота и тайминги оперативной памяти. Первое число, часто обозначаемое как «CL» или «CAS Latency», указывает на тактовые циклы, требующиеся RAM для ответа на запрос от ЦП.

Меньшее число CL указывает на более высокую производительность — например, модуль ОЗУ с CL 14 будет быстрее отвечать на запросы, чем модуль с CL 16. Остальные числа во временной последовательности относятся к другим аспектам производительности ОЗУ, например, ко времени для чтения или записи данных. Эти числа обычно менее важны, чем число CL, но они все же могут влиять на общую производительность.

Схема таймингов памяти

Часто такой показатель оперативной памяти представляются с помощью схемы, которая выглядит следующим образом — CL-tRCD-tRP-tRAS. Вот какое значение таймингов оперативной памяти в каждом из этих терминов:

CL. Задержка CAS.
tRCD. Задержка от RAS к CAS. Это относится к задержке между активацией строки в памяти и доступом к столбцу.
tRP. Время предварительной зарядки строки необходимое для деактивации строки после того, как данные были прочитаны или записаны в нее.
tRAS. Активен для времени предварительной зарядки. Это относится ко времени, которое требуется для деактивации строки и активации новой строки.

Все эти показатели имеют очень важное значение для полноценной работы устройства.

Штатные тайминги

Тайминги оперативной памяти могут сильно различаться в зависимости от конкретного модуля и производителя. Однако есть несколько «штатных» моментов, с которыми сталкивается большинство пользователей:

CL16. Это наиболее распространенное время для модулей оперативной памяти DDR4, и оно указывает на относительно высокую производительность. CL, или задержка CAS, является наиболее важным моментом, который следует учитывать при покупке ОЗУ. Он представляет собой количество тактов, которое требуется оперативной памяти для ответа на запрос от ЦП. Чем меньше число CL, тем быстрее будет работать оперативная память. Модуль ОЗУ CL16 обычно имеет время отклика 10 нс.
CL18. Модули оперативной памяти DDR4 с синхронизацией CL18 немного медленнее, чем модули CL16, но они также более доступны по цене. Обычно они имеют время отклика 11,25 нс.
CL14. Модули оперативной памяти DDR4 с синхронизацией CL14 считаются высококачественными и, как правило, более дорогими. Они обеспечивают высокую производительность со временем отклика 8,75 нс.

Нужно разобраться в том, какие средние показатели в наиболее актуальных поколений RAM.

Средние тайминги DDR4

DDR4, или Double Data Rate 4 — это память DDR четвертого поколения, которая предлагает более высокую пропускную способность и скорость, чем ее предшественница DDR3. DDR4 предназначена для работы с современными процессорами и материнскими платами, обеспечивая более высокую производительность и эффективность компьютеров и других электронных устройств.

Модули памяти DDR4 имеют разные характеристики, влияющие на их производительность, и выбор правильных таймингов может значительно повлиять на скорость и стабильность вашей системы. Следует разобрать средние тайминги DDR4 и как выбрать правильные тайминги для конкретной системы.

Память DDR4 работает с базовой тактовой частотой 2133 МГц и может повышаться до 4800 МГц, обеспечивая более высокую пропускную способность, чем память DDR3. Память DDR4 поставляется в различных конфигурациях таких, как одноранговая, двухранговая, четырехранговая и восьмиранговая, каждая из которых имеет свои преимущества и недостатки.

Память DDR4 также имеет различные тайминги, такие как задержка CAS (CL), tRCD (задержка RAS-CAS), tRP (время предварительной зарядки строки), tRAS (задержка между активным и предварительным зарядом) и tRC (время цикла строки). Эти тайминги определяют, сколько времени требуется контроллеру памяти для доступа к конкретной ячейке памяти и завершения операции чтения или записи.

Средние тайминги DDR4 — это среднее значение 4 основных таймингов:

задержка CAS (CL);
tRCD;
tRP;
tRAS.

Средние тайминги выражаются 4 числами, например 16-18-18-36, которые представляют четыре тайминга по порядку.

Задержка CAS (CL)

Время, необходимое контроллеру памяти для доступа к ячейке памяти после получения команды. CL является наиболее важным параметром времени для производительности памяти DDR4, а более низкие значения CL указывают на более быстрое время доступа. Типичные значения CL для памяти DDR4 находятся в диапазоне от 14 до 19, где 14 — самый быстрый, а 19 — самый медленный.

tRCD (задержка RAS to CAS)

Время, необходимое контроллеру памяти для доступа к ячейке памяти после активации строки памяти. tRCD — второй по важности показатель времени для производительности памяти DDR4, а более низкие значения tRCD указывают на более быстрое время доступа. Типичные значения tRCD для памяти DDR4 находятся в диапазоне от 14 до 19, где 14 — самый быстрый, а 19 — самый медленный.

tRP (время предварительной зарядки строки)

Время, необходимое контроллеру памяти для предварительной зарядки строки памяти перед доступом к другой строке. Наименее важный показатель для производительности памяти DDR4, и более высокие значения tRP не влияют на производительность так сильно, как более высокие значения CL или tRCD. Типичные значения tRP для памяти DDR4 находятся в диапазоне от 14 до 19, где 14 — самый быстрый, а 19 — самый медленный.

tRAS (задержка от активации до предварительной зарядки)

Время, необходимое контроллеру памяти для активации строки памяти и последующей ее предварительной зарядки. tRAS также является важным параметром времени для производительности памяти DDR4, а более низкие значения tRAS указывают на более быстрое время доступа. Типичные значения tRAS для памяти DDR4 находятся в диапазоне от 30 до 42, где 30 — самый быстрый, а 42 — самый медленный.

Чем выше рабочая частота ОЗУ, тем выше время CL. Также отметим, что в таких случаях производительность поднимается за счёт увеличенной частоты при более менее приемлемых таймингах. Для наглядности стоит посмотреть на сравнительную таблицу самых популярных вариантов.

Поколение RAM	Частота	CL	tRCD	tRP	tRAS
DDR4	2400	14	15	15	35
DDR4	2666	15	17	17	35
DDR4	3000	15 – 16	16 – 18	16 – 18	35 – 36
DDR4	3200	16	18	18	36
DDR4	3600	16 – 18	18 – 22	18 – 22	38 – 42

Значения для модулей памяти DDR4 могут различаться в зависимости от производителя и конкретной модели модуля памяти.

Подбор таймингов памяти DDR4

При выборе DDR4 необходимо учитывать несколько факторов, таких как характеристики процессора и материнской платы, предполагаемое использование системы и бюджет. Вот несколько рекомендаций, которые помогут выбрать правильные DDR4:

Проверьте характеристики процессора и материнской платы. Характеристики процессора и материнской платы играют решающую роль в определении максимальной поддерживаемой скорости DDR4. Перед покупкой DDR4 проверьте характеристики процессора и материнской платы, чтобы убедиться, что память совместима.
Учитывайте сценарий использования системы. Предполагаемое использование системы также может влиять на выбор DDR4. Например, если вы собираете игровой ПК, более быстрая синхронизация может обеспечить лучшую производительность в ресурсоемких играх. С другой стороны, если вы создаете рабочую станцию для таких задач, как редактирование видео или 3D-моделирование, больший объем памяти может оказаться более важным, чем более быстрое время.
Бюджет. Память DDR4 с более быстрыми характеристиками может быть дороже, чем с более медленными показателями. Подумайте о своем бюджете и выберите подходящие варианты DDR4.
Оптимизация вручную. Некоторые материнские платы позволяют вручную настраивать DDR4 для повышения производительности. Всегда проверяйте руководство к материнской плате и следуйте рекомендациям производителя при настройке.

При выборе DDR4 учитывайте характеристики процессора и материнской платы, предполагаемое использование системы и бюджет. Кроме того, нормальная латентность памяти DDR4 позволяет вручную настраивать timing, но это требует технических знаний и может привести к аннулированию гарантии. Выберите DDR4, которая обеспечит наилучший баланс производительности, совместимости и доступности для вашей системы.

Средние тайминги DDR3

Временные значения DDR3 зависят от конкретного модуля и частоты, на которую он рассчитан. Вот типичные характеристики для DDR3 на разных частотах:

Поколение RAM	Частота	CL	tRCD	tRP	tRAS
DDR3	1333	9	9	9	24
DDR3	1600	11	11	11	28
DDR3	1866	13	13	13	32
DDR3	2133	15	15	15	35

Это наиболее распространенные значения таймингов, но разные производители могут предлагать несколько разные значения таймингов в зависимости от конкретного модуля. Кроме того, некоторые модули могут поддерживать XMP (Extreme Memory Profile), который может обеспечить еще более точные значения времени для повышения производительности, но требует ручной настройки в BIOS.

Задержка памяти DDR3

Задержка DDR3 относится к времени, которое требуется для доступа и извлечения данных. Задержка DDR3 может варьироваться в зависимости от нескольких факторов, включая скорость, тайминги, установленные в BIOS системы, а также конкретный ЦП и материнскую плату, используемые в системе.

Как правило, DDR3 имеет задержку CAS (строб доступа к столбцу) 9, 10, 11 или 12 тактов. Общая задержка рассчитывается путем добавления задержки CAS к дополнительной задержке, вносимой другими синхронизациями, такими как RAS (строб доступа к строке) и tRCD (задержка от RAS к CAS).

Общая задержка DDR3 может варьироваться от 9 нс для DDR3-1600 с малой задержкой до 15 нс и более для DDR3-1066 с большей задержкой. Однако важно отметить, что хотя меньшая задержка может привести к более быстрому доступу к данным, более высокая частота и большая емкость также могут улучшить общую производительность системы.

Какие тайминги лучше для DDR3

Для большинства пользователей DDR3 с таймингами 9-9-9-24 или 8-8-8-24 на частоте 1600 МГц является хорошим балансом между производительностью и стоимостью. Эти тайминги для DDR3 относятся к задержкам CAS, tRCD, tRP и tRAS соответственно.

Однако если вы создаете высокопроизводительную систему для игр или других ресурсоемких приложений, вам может потребоваться более быстрая DDR3 с более низкими таймингами, например, 7-7-7-20 или 6-6-6-18 при частоте 1866 МГц или более. Эти более быстрые комплекты, как правило, будут дороже, но они могут обеспечить заметный прирост производительности в определенных сценариях.

Латентность памяти DDR3

Задержка DDR3 относится ко временной задержке между запросом данных из модуля и доставкой этих данных в ЦП. Измеряется в наносекундах (ns) или тактовых циклах (CL). DDR3 имеет несколько временных параметров, влияющих на ее задержку, включая задержку CAS (CL), tRCD, tRP и tRAS.

Более низкие значения DDR3 приводят к более высокой производительности и меньшей задержке. Однако реальный выигрыш в производительности зависит от конкретной конфигурации системы и рабочей нагрузки. При выборе DDR3 для системы важно учитывать характеристики ЦП, материнской платы и разные тайминги оперативной памяти DDR3, чтобы обеспечить совместимость и оптимальную производительность.

Можно ли ставить оперативную память с разными таймингами?

В компьютерную систему можно установить RAM с разными таймингами. Однако когда устанавливается ОЗУ с разными таймингами, система будет использовать тайминги самого медленного установленного модуля ОЗУ. Это означает, что если у вас есть модуль RAM с таймингом 16-18-18-36 и другой модуль с таймингом 14-16-16-32, система будет работать с обоими модулями RAM на 16-18-18-36.

Должны ли совпадать тайминги оперативной памяти

Рекомендуется использовать модули RAM с одинаковыми таймингами, чтобы обеспечить наилучшую производительность и стабильность системы. Если вам нужно обновить систему и если у оперативной памяти разные тайминги — это не должно вызывать серьезных проблем. Чтобы добиться наилучших показателей, стоит со временем заменить модули на те, что будут иметь одинаковые тайминги.

Какие тайминги лучше для оперативной памяти?

Наилучшие тайминги для RAM зависят от нескольких факторов, включая конкретный тип и скорость используемого ОЗУ, а также требования к производительности компьютерной системы. Более низкие тайминги ОЗУ лучше влияют на производительность, потому что они позволяют памяти быстрее получать доступ к данным и передавать их. Однако это также означает, что модули RAM должны иметь возможность надежно работать на более высоких скоростях, чего может быть сложнее достичь с более производительной RAM.

Высокие тайминги оперативной памяти

Обычно относятся к более медленным таймингам, которые могут ограничивать производительность вашей ОЗУ. Это означает, что RAM потребуется больше времени для доступа и передачи данных, что может привести к снижению общей результативности системы.

Некоторые возможные причины использования более высоких таймингов ОЗУ могут включать:

Стабильность. В некоторых случаях увеличение таймингов вашей RAM может сделать ее более стабильной, особенно если вы разгоняете свою плату или другие системные компоненты.
Совместимость. Некоторые старые или более дешевые системы могут не поддерживать высокую производительность с низкими таймингами, поэтому увеличение таймингов может помочь обеспечить совместимость с вашим оборудованием.
Стоимость. Модули ОЗУ с меньшим значением времени могут быть дороже, чем модули с более высоким значением времени, поэтому выбор более высоких значений времени может быть более выгодным для некоторых пользователей.

Однако важно иметь в виду, что использование высоких таймингов ОЗУ почти всегда приводит к более низкой производительности, чем использование более низких таймингов, поэтому вам следует тщательно взвесить преимущества и недостатки использования более высоких таймингов для вашего конкретного случая использования.

Как правильно настроить тайминги оперативной памяти DDR4 2133MHz

DDR4 2133MHz — это один из самых распространенных стандартов оперативной памяти, который широко используется в современных компьютерах. Она предлагает неплохую производительность и стабильность работы системы. Однако, чтобы получить максимальную эффективность от вашей памяти, необходимо правильно настроить тайминги.

Тайминги оперативной памяти включают в себя несколько параметров, которые определяют задержку между различными операциями памяти. Эти параметры включают CAS (CL), RAS to CAS Delay (tRCD), Row Precharge Time (tRP) и так далее. Каждый из них может быть настроен вручную для достижения оптимальной производительности.

Для настройки таймингов памяти вам потребуется зайти в BIOS вашего компьютера. После этого найдите раздел, отвечающий за память или RAM. В нем вы найдете все необходимые параметры для настройки таймингов. Рекомендуется начать с установки параметра XMP (Extreme Memory Profile) в значение «Enabled», если такой параметр доступен в вашем BIOS. Он позволит автоматически настроить оптимальные тайминги для вашей памяти.

Однако, если вы хотите достичь еще более высокой производительности, вы можете вручную настроить каждый из параметров. Например, установите возможно самые низкие значения для CAS (CL), tRCD и tRP, но будьте осторожны, так как слишком низкие значения могут вызвать ошибки и сбои системы. Рекомендуется провести тестирование стабильности системы после каждой настройки таймингов.

Важно отметить, что настройка таймингов памяти может потребовать некоторого опыта и тщательного тестирования. Если вы не уверены в своих навыках, рекомендуется обратиться к специалисту или посмотреть онлайн-руководства. Неправильная настройка таймингов может привести к непредсказуемым последствиям и негативно сказаться на работе вашего компьютера.

Зачем нужно настраивать тайминги оперативной памяти DDR4 2133MHz?

Оперативная память (ОЗУ) играет важную роль в работе компьютера, влияя на его производительность. Она временно хранит данные, которые используются процессором. Настраивая тайминги оперативной памяти DDR4 2133MHz, вы можете оптимизировать ее работу и повысить производительность системы в целом.

Тайминги оперативной памяти представляют собой набор параметров, определяющих задержку доступа к ячейкам памяти. Эти параметры включают такие значения, как CAS Latency (CL), RAS-to-CAS Delay (tRCD), RAS Precharge Time (tRP) и Active to Precharge Delay (tRAS).

Правильная настройка таймингов позволяет сократить задержки и улучшить время доступа к данным, что положительно сказывается на общей производительности системы. Особенно это важно в случае оперативной памяти DDR4 2133MHz, так как она сама по себе не является самой быстрой в своем классе.

Настройка таймингов оперативной памяти также позволяет добиться стабильной работы системы и уменьшить возможность возникновения ошибок и сбоев. Некорректные значения таймингов могут привести к нестабильной работе компьютера, перегреву или даже к поломке модулей памяти.

Важно отметить, что настройка таймингов оперативной памяти требует определенных знаний и опыта. Рекомендуется обращаться к руководству пользователя для вашей материнской платы и модулей памяти, чтобы получить рекомендации и ограничения производителя. Также стоит учитывать, что некорректная настройка таймингов может привести к потере гарантии на товары.

В заключение, настройка таймингов оперативной памяти DDR4 2133MHz может помочь повысить общую производительность системы и обеспечить ее стабильную работу. Однако перед внесением изменений важно ознакомиться с рекомендациями производителя и быть осторожным, чтобы избежать возможных проблем.

Какие параметры таймингов нужно настраивать и как они влияют на производительность?

При настройке таймингов оперативной памяти DDR4 2133MHz необходимо учитывать несколько ключевых параметров:

CAS Latency (CL): это время, которое требуется модулю памяти для предоставления данных после получения запроса от процессора. Более низкое значение CL означает более быстрый доступ к данным.
Row Address to Column Address Delay (tRCD): это время, необходимое модулю памяти для переключения с одного ряда памяти на другой перед доступом к столбцу. Более низкое значение tRCD может улучшить производительность.
Row Precharge Time (tRP): это время, которое необходимо модулю памяти для сброса предыдущего ряда памяти перед активацией нового. Более низкое значение tRP может также улучшить производительность.
Active to Precharge Time (tRAS): это время, которое модулю памяти требуется для окончания цикла чтения и подготовки памяти к следующему запросу. Более низкое значение tRAS может повысить производительность системы.

Оптимальное настройка таймингов позволяет достичь наилучшей производительности оперативной памяти DDR4 2133MHz. Однако следует отметить, что улучшение таймингов может иметь незначительный эффект на общую производительность системы, и иногда изменение таймингов может привести к непредсказуемым результатам или стабильности системы.

Рекомендуется провести тестирование и проверку стабильности системы после настройки таймингов оперативной памяти DDR4 2133MHz, чтобы убедиться, что система работает без проблем.

Какими инструментами можно настраивать тайминги оперативной памяти DDR4 2133MHz?

Для настройки таймингов оперативной памяти DDR4 2133MHz можно использовать различные инструменты и программы, которые позволяют изменять и оптимизировать параметры функционирования памяти. Ниже приводится список наиболее распространенных инструментов:

Инструмент	Описание
BIOS	Большинство материнских плат имеют BIOS, который позволяет пользователю настраивать множество параметров, включая тайминги оперативной памяти. В BIOS можно изменить такие параметры, как CAS Latency, RAS to CAS Delay, RAS Precharge Time и другие. Доступ к BIOS обычно осуществляется при запуске компьютера, нажатием определенной клавиши (например, Delete или F2) на старте.
Программное обеспечение производителя памяти	Многие производители оперативной памяти предлагают специальное программное обеспечение для настройки и управления таймингами. Приложения, такие как Corsair iCUE или G.Skill Trident Z RGB Lighting Control, позволяют пользователям вручную изменять тайминги памяти и визуально отслеживать изменения.
Утилиты для разгона	Существуют специальные утилиты для разгона (overclocking), которые позволяют настраивать различные параметры компьютера, включая тайминги оперативной памяти. Примеры таких утилит включают MSI Afterburner, ASUS AI Suite и EVGA Precision.
Онлайн-ресурсы и сообщества	В интернете можно найти различные онлайн-ресурсы и сообщества, посвященные настройке памяти и таймингов. На таких ресурсах можно найти гайды, инструкции и советы от опытных пользователей, которые помогут более точно настроить тайминги в соответствие с требованиями или особенностями конкретного компьютера.

Выбор наиболее подходящего инструмента зависит от индивидуальных потребностей и возможностей каждого пользователя. Важно помнить, что неправильные настройки таймингов могут привести к нестабильной работе системы, поэтому рекомендуется ознакомиться с документацией и руководствами, прежде чем вносить изменения.