Pc 3200 память ddr какая

Немного об оперативной памяти

Новые поколения процессоров стимулировали разработку более скоростной памяти SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) с тактовой частотой 66 МГц, а модули памяти с такими микросхемами получили название DIMM(Dual In-line Memory Module).
Для использования с процессорами Athlon, а потом и с Pentium 4, было разработано второе поколение микросхем SDRAM — DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM). Технология DDR SDRAM позволяет передавать данные по обоим фронтам каждого тактового импульса, что предоставляет возможность удвоить пропускную способность памяти. При дальнейшем развитии этой технологии в микросхемах DDR2 SDRAM удалось за один тактовый импульс передавать уже 4 порции данных. Причем следует отметить, что увеличение производительности происходит за счет оптимизации процесса адресации и чтения/записи ячеек памяти, а вот тактовая частота работы запоминающей матрицы не изменяется. Поэтому общая производительность компьютера не увеличивается в два и четыре раза, а всего на десятки процентов. На рис. показаны частотные принципы работы микросхем SDRAM различных поколений.

Существуют следующие типы DIMM:

72-pin SO-DIMM (Small Outline Dual In-line Memory Module) — используется для FPM DRAM (Fast Page Mode Dynamic Random Access Memory) и EDO DRAM (Extended Data Out Dynamic Random Access Memory)

100-pin DIMM — используется для принтеров SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory)

144-pin SO-DIMM — используется для SDR SDRAM (Single Data Rate … ) в портативних компьютерах

168-pin DIMM — используется для SDR SDRAM (реже для FPM/EDO DRAM в рабочих станциях/серверах

172-pin MicroDIMM — используется для DDR SDRAM (Double date rate)

184-pin DIMM — используется для DDR SDRAM

200-pin SO-DIMM — используется для DDR SDRAM и DDR2 SDRAM

214-pin MicroDIMM — используется для DDR2 SDRAM

204-pin SO-DIMM — используется для DDR3 SDRAM

240-pin DIMM — используется для DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM и FB-DIMM (Fully Buffered) DRAM

244-pin Mini-DIMM – для Mini Registered DIMM

256-pin SO-DIMM — используется для DDR4 SDRAM

284-pin DIMM — используется для DDR4 SDRAM

Чтобы нельзя было установить неподходящий тип DIMM-модуля, в текстолитовой плате модуля делается несколько прорезей (ключей) среди контактных площадок, а также справа и слева в зоне элементов фиксации модуля на системной плате. Для механической идентификации различных DIMM-модулей используется сдвиг положения двух ключей в текстолитовой плате модуля, расположенных среди контактных площадок. Основное назначение этих ключей — не дать установить в разъем DIMM-модуль с неподходящим напряжением питания микросхем памяти. Кроме того, расположение ключа или ключей определяет наличие или отсутствие буфера данных и т. д.

Модули DDR имеют маркировку PC. Но в отличие от SDRAM, где PC обозначало частоту работы (например PC133 – память предназначена для работы на частоте 133МГц), показатель PC в модулях DDR указывает на максимально достижимую пропускную способностью, измеряемую в мегабайтах в секунду.

DDR2 SDRAM

Название стандарта	Тип памяти	Частота памяти	Частота шины	Передача данных в секунду (MT/s)	Пиковая скорость передачи данных
PC2-3200	DDR2-400	100 МГц	200 МГц	400	3200 МБ/с
PC2-4200	DDR2-533	133 МГц	266 МГц	533	4200 МБ/с
PC2-5300	DDR2-667	166 МГц	333 МГц	667	5300 МБ/с
PC2-5400	DDR2-675	168 МГц	337 МГц	675	5400 МБ/с
PC2-5600	DDR2-700	175 МГц	350 МГц	700	5600 МБ/с
PC2-5700	DDR2-711	177 МГц	355 МГц	711	5700 МБ/с
PC2-6000	DDR2-750	187 МГц	375 МГц	750	6000 МБ/с
PC2-6400	DDR2-800	200 МГц	400 МГц	800	6400 МБ/с
PC2-7100	DDR2-888	222 МГц	444 МГц	888	7100 МБ/с
PC2-7200	DDR2-900	225 МГц	450 МГц	900	7200 МБ/с
PC2-8000	DDR2-1000	250 МГц	500 МГц	1000	8000 МБ/с
PC2-8500	DDR2-1066	266 МГц	533 МГц	1066	8500 МБ/с
PC2-9200	DDR2-1150	287 МГц	575 МГц	1150	9200 МБ/с
PC2-9600	DDR2-1200	300 МГц	600 МГц	1200	9600 МБ/с

DDR3 SDRAM

Название стандарта	Тип памяти	Частота памяти	Частота шины	Передач данных в секунду(MT/s)	Пиковая скорость передачи данных
PC3-6400	DDR3-800	100 МГц	400 МГц	800	6400 МБ/с
PC3-8500	DDR3-1066	133 МГц	533 МГц	1066	8533 МБ/с
PC3-10600	DDR3-1333	166 МГц	667 МГц	1333	10667 МБ/с
PC3-12800	DDR3-1600	200 МГц	800 МГц	1600	12800 МБ/с
PC3-14400	DDR3-1800	225 МГц	900 МГц	1800	14400 МБ/с
PC3-16000	DDR3-2000	250 МГц	1000 МГц	2000	16000 МБ/с
PC3-17000	DDR3-2133	266 МГц	1066 МГц	2133	17066 МБ/с
PC3-19200	DDR3-2400	300 МГц	1200 МГц	2400	19200 МБ/с

В таблицах указываются именно пиковые величины, на практике они могут быть недостижимы.
Для комплексной оценки возможностей RAM используется термин пропускная способность памяти. Он учитывает и частоту, на которой передаются данные и разрядность шины и количество каналов памяти.

Пропускная способность = Частота шины x ширину канала x кол-во каналов

Для всех DDR — количество каналов = 2 и ширина равна 64 бита.
Например, при использовании памяти DDR2-800 с частотой шины 400 МГц пропускная способность будет:

(400 МГц x 64 бит x 2)/ 8 бит = 6400 Мбайт/с

Каждый производитель каждому своему продукту или детали дает его внутреннюю производственную маркировку, называемую P/N (part number) — номер детали.
Для модулей памяти у разных производителей она выглядит примерно так:

Kingston KVR800D2N6/1G
OCZ OCZ2M8001G
Corsair XMS2 CM2X1024-6400C5

На сайте многих производителей памяти можно изучить, как читается их Part Number.

PC3200 в двухканальной упряжке: экстремальный подход

Выбор оперативной памяти для построения производительной системы — задача не менее ответственная, чем, скажем, выбор процессора. И приведенные ниже результаты тестирования модулей памяти PC3200 DDR SDRAM обязательно помогут пользователю в выборе оптимального комплекта оперативной памяти для двухканальной конфигурации.

Одним из важнейших элементов вычислительной системы является память, "по-научному" называющаяся "оперативным запоминающим устройством". Определение это, хоть и вызывает определенную ностальгию по институтскому курсу микроэлектроники, тем не менее, очень точно и универсально. В нашу эпоху гигагерц и гигабайт развитие памяти достигло некоторой критической точки, когда необходим уже качественный, а не количественный скачок вперед (речь идет, конечно же, о "мэйнстримовом" рынке).

Память DDR сегодня является наиболее востребованной и популярной — и тому масса причин. Время SDRAM прошло, время RDRAM закончилось, так толком и не начавшись… Остается лишь DDR — "скорость и доступность в одном флаконе". Однако уже сейчас невооруженным глазом виден закат DDR в первой ее инкарнации. До массового внедрения памяти DDR II осталось совсем немного (вторжение на рынок памяти запланировано на 2004 год), поэтому сейчас производители всеми силами стараются продать как можно больше памяти первого DDR, попутно осваивая новые стандарты, такие как DDR 450 и DDR 500.

В этом сравнительном тестировании мы решили "столкнуть лбами" модули памяти DDR 400 от различных производителей. Почему именно DDR 400 (она же PC3200)? Все очень просто — именно эта память на сегодня наиболее популярна при проектировании и сборке высокопроизводительных систем. Более того, именно на работу с такой памятью в наиболее "пиковых" конфигурациях рассчитаны новейшие двухканальные наборы логики от Intel (875P) и nVidia (nForce2 Ultra 400). Мы не могли пройти мимо этого обстоятельства — и тестировали память именно в двухканальной конфигурации.

Кроме того, мы позволили себе некоторое отступление от канонов "приличного" тестирования и выясняли возможности модулей памяти от каждого бренда именно с точки зрения "экстрима" — то есть, грубо говоря, разгоняли память. Это никоим образом не относится к манипулированию тактовой частотой шины, а касается лишь изменения таймингов памяти.

Динамическая память

В течение вот уже нескольких десятилетий идеология построения массивов памяти не испытывает каких-то революционных изменений. "Косметически" изменяются лишь принципы транспортировки данных, само же ядро остается неизменным — плоская двумерная матрица ячеек памяти.

Элементарная единица памяти — это ячейка, представляющая собой КМОП-транзистор. Благодаря этому и достигается высокая плотность упаковки ячеек памяти при низкой цене производства. Запоминающим элементом является "конденсатор" (емкость затвора), и ячейка может помнить свое состояние очень недолго — всего десятки миллисекунд. Для длительного хранения требуется регенерация — регулярное "освежение" (refresh) памяти, за что эта память и получила название "динамической" — DRAM (Dynamic Random Access Memory).

За гораздо меньший исторический период только тактовая частота процессоров x86 выросла на два порядка — так что разрыв между потребностями процессоров и возможностями ячеек памяти постоянно увеличивается. Для преодоления этого разрыва, во-первых, увеличивают разрядность данных памяти, а во-вторых, строят вокруг массивов ячеек памяти разные хитрые оболочки, ускоряющие процесс доступа к данным. Об этом-то и пойдет речь дальше. Отметим, что все, даже "самые модные", типы памяти — SDRAM, DDR SDRAM и Rambus DRAM — имеют запоминающее ядро, которое обслуживается описанным выше способом.

Память Double Data Rate SDRAM

Оперативная память DDR, исходя из соотношения "цена/производительность", на сегодня является оптимальной. В самом деле, при очень неплохих своих характеристиках, модули памяти данного типа стоят достаточно недорого, что и обусловило невероятную популярность DDR SDRAM.

Немало уже было написано и сказано о принципах работы памяти DDR. Так вспомним об этом лишь для целостности повествования.

Итак, почему, собственно, Double Data Rate? Почему в два раза больше данных? Все очень просто, если обратиться к механизму работы памяти. Существуют такие понятия, как частота системной шины и частота шины памяти,- причем эти две величины могут как совпадать ("синхронный" режим работы), так и не совпадать ("асинхронный" режим работы). Частота шины, в свою очередь,- это число отсчетов генератора в единицу времени. Именно во время этих отсчетов, как под ритмичный бой барабана, и происходят какие-то действия внутри компьютера.

"Обычная" память SDRAM устроена таким образом, что данные передаются во время отсчета ("такта"), лишь когда уровень тактового сигнала изменяется с низкого на высокий. У памяти же DDR данные передаются как во время изменения тактового сигнала с низкого на высокий, так и во время изменения уровня с высокого на низкий. Как говорится, все гениальное — просто. Итого, при одинаковой частоте шины памяти имеем двукратное увеличение объема прокачанных данных в пользу DDR SDRAM.

CAS, RAS и Latency

Одна из наиболее важных скоростных характеристик памяти DDR — CAS Latency. Уверен, что многие сталкивались с этим параметром в BIOS системной платы и все знают: "чем оно меньше — тем быстрее" — но истинную природу вещей объяснить может далеко не каждый. Разберемся, что же на самом деле означают понятия CAS и CAS Latency и на что эти параметры влияют в первую очередь.

CAS — это сокращение от Column Address Strobe, что в литературном переводе выглядит как "строб доступа к адресу столбца". Как известно, память DRAM структурно может быть представлена в виде плоской двумерной матрицы — наподобие привычной таблицы Excel. Это означает, что каждая отдельно взятая ячейка памяти может быть однозначно адресована с помощью номера строки и номера столбца. Как вы уже догадались, RAS — Row Address Strobe ("строб доступа к адресу строки").

Latency, она же "латентность", она же "задержка",- одно из ключевых явлений микроэлектроники вообще. Грубо говоря, латентность — это время, которое нужно подождать, чтобы что-то получить. Применительно к технике — время между инициацией и ответом.

Теперь же сузим круг наших исследований, вплотную приблизившись к анализу понятия CAS Latency.

Стоит представить себе "на пальцах" механизм работы простейшего контроллера памяти. Изначально контроллер памяти, традиционно входящий в состав набора логики, инициирует доступ к строке матрицы памяти следующим образом: на адресные выводы посылается адрес строки, активизируется строб доступа к адресу строки (RAS, как уже говорилось выше). Затем происходит ожидание длиной в несколько циклов ("тиков" генератора) — оно называется RAS-to-CAS Latency (или RAS-to-CAS Delay). После этого на адресных выводах появляется адрес нужного контроллеру столбца матрицы памяти и активизируется строб доступа к адресу столбца (CAS).

Итак, наш виртуальный контроллер уже "прицелился" на нужную ячейку памяти, остался сущий пустяк: подождать еще несколько циклов, пока данные из ячейки памяти не появятся на выводах памяти. Именно вот этот последний отрезок ожидания и называется "задержка CAS", или же CAS Latency.

Естественно, если CAS Latency = 2, то ожидание появления данных на выводах памяти длится два машинных цикла; если CAS Latency = 3 — то, соответственно, три. Однако здесь имеется один тонкий и довольно неоднозначный момент: например, память с CAS-2 вовсе не быстрее памяти CAS-3 на 33%. Причины таковы:

иногда требуется переместиться к другой строке памяти. В этом случае имеем: активизация RAS, ожидание RAS-to-CAS Delay, затем CAS Latency;

в другом случае требуется выполнить "пакетное" чтение, когда читается большой блок ячеек памяти, расположенных подряд в одной строке. Здесь CAS активизируется лишь однажды, в самом начале пакетного чтения;

фактор, оказывающий наибольшее влияние на механизм RAS/CAS — современные процессоры обладают кэш-памятью значительных размеров! Процент "попадания в кэш" нужных процессору данных может достигать 95-ти — то есть совсем не обязательно постоянно "дергать" память на предмет извлечения данных.

Участники тестирования

256MB PC3200 CL3

с одной стороны

32 (8 Мб x 4 банка)

Corsair TWIN512-3200LL

Идеальный набор для построения высокопроизводительной системы. Использованное слово "набор" абсолютно точно описывает данное изделие, так как в этом случае имеет дело именно с комплектом из двух модулей-"близнецов" CMX256A-3200LL, находящихся в одной общей упаковке и, естественно, продающихся как единое целое. Что это означает? Лишь то, что именно TWIN512-3200LL будет гарантированно работать в двухканальной конфигурации — ведь, как известно, стабильная двухканальная работа гарантируется в том случае, когда используются модули памяти не только от одного производителя, но и из одной партии. В случае же с TWIN512-3200LL можно предположить, что оба входящих в комплект модуля не только отвечают названным условиям, но и на заводском конвейере находились на соседних "посадочных местах". Компания Corsair, мировой бренд в производстве оперативной памяти, со смекалкой подошла к вопросу — что явно говорит, что про "набитую руку", по крайней мере, на этом рынке.

Предлагаю немного отвлечься от нашей темы. Вы смотрите телевизор? Я, если честно, просто не успеваю. Однако этот ящик стоит тихонечко и пылится. Неделю назад к ребенку пришли друзья и принесли игровую приставку, которую надо подключать как раз к телевизору. А он не работает! Не люблю когда техника неисправна, поэтому в ближайшее время нужно его отремонтировать. Ремонт телевизоров в Москве – услуга довольно распространенная. Кроме того, острая конкуренция привела к тому, что телемастер приезжает на дом прямо в день заказа. Кстати, многие неисправности могут быть устранены в течение нескольких минут… Кажется я немного увлекся. Простите великодушно. Давайте вернемся к основной теме.

Модули CMX256A-3200LL, из которых и состоит комплект TWIN512-3200LL, представляют собой стандартные модули DDR DIMM с 184-мя выводами и содержат по восемь чипов памяти каждый (по четыре чипа с каждой стороны модуля). К сожалению, информация о времени доступа покрыта тайной, поскольку взглянуть на сами чипы памяти нет никакой возможности — они закрыты мощной металлической системой охлаждения (радиатором), снять которую нельзя. Другими словами, радиатор не только надет на модуль, но и надежно приклеен. В Сети даже присутствуют фото, на которых запечатлены результаты излишнего рвения пользователей, а именно: снятый с CMX256A-3200LL радиатор вместе с чипами памяти, которые оказались вырванными "с мясом".

Индекс LL, присутствующий как в маркировке каждого модуля, так и набора в целом, расшифровывается как Low Latency ("низкие задержки"). И действительно, при заявленных производителем таймингах 2-3-2-6 в нашем случае комплект TWIN512-3200LL без особых проблем "завелся" с таймингами 2-3-2-5, вынудив тестовый стенд показать высочайшую производительность. Более того, TWIN512-3200LL — один из немногих в нашем тестировании комплектов, позволивших достичь CAS Latency = 2 при частоте системной шины 800 МГц и шины памяти 200 МГц.

Kingston KVR400X64C3/256

Еще один "тяжеловес" на рынке производителей памяти, Kingston, тоже порядком порадовал нас предоставленными для тестирования модулями. Несмотря на полное отсутствие "шика" (как то: расписные радиаторы на чипах памяти и упаковки с орденами и восторженными отзывами прессы), DDR-память от Kingston скромно, но весьма уверенно вплотную приблизилась к изделию Corsair с точки зрения общей производительности системы. Разница в производительности "реальных" приложений крайне мала — и если бы она не наблюдалась в большинстве измерений, можно было бы говорить о погрешности результатов. Ну а в синтетических тестах "упряжка" из двух KVR400X64C3/256 достаточно заметно отстала от TWIN512-3200LL — однако на то она и "синтетика", чтоб выявить положение дел на самом приближенном к "железу" уровне. KVR400X64C3/256 практически полностью повторили формулу таймингов CMX256A-3200LL — за тем только исключением, что CAS Latency все-таки осталась на отметке 2,5. Хотя "перестраховщики" из Kingston все равно рекомендуют для пущей стабильности устанавливать CAS Latency = 3.

Итого, тайминги KVR400X64C3/256 в нашем случае выглядят как 2,5-3-2-5.

takeMS MS64D3200U-5

Модули памяти от takeMS появились на украинском рынке достаточно недавно — тем не менее, успели уже снискать популярность в народе, благодаря весьма лояльной ценовой политике компании и собственной неплохой производительности.

takeMS MS64D3200U-5 не хватает звезд с неба, по результатам тестов находясь примерно в средине плотной "толпы" модулей памяти от производителей недорогих решений. Величины задержек, которых удалось достичь, восторженного "ах!" не вызывают, однако они вполне неплохи, особенно если учесть невысокую цену этой памяти.

A-Data ADBGB1808

Продукт от A-Data произвел очень хорошее впечатление. С точки зрения производительности модули от A-Data являются практически лучшими из всех недорогих решений. Особенно радует, что лишь эта память могла составить конкуренцию Corsair по значению CAS Latency, которое удалось зафиксировать на отметке 2 такта.

ADBGB1808 состоит из восьми чипов производства Hynix c временем выборки 5 нс. Производительность на высоте — особенно если учесть, что имеем дело с "обычной" бюджетной памятью.

Apacer 256 MB PC3200 CL3

Единственный комплект модулей, которые не удалось однозначно идентифицировать. Как видим, у каждого из производителей предусмотрены собственные уникальные индексы для модулей памяти. Apacer же, не мудрствуя лукаво, назвала модули "256 MB PC3200 CL3". По крайней мере, никаких других обозначений на сайте производителя обнаружено не было. Однако в данном случае это скорее достоинство, чем недостаток — в таком "банальном" названии просматривается абсолютно вся необходимая информация для потенциального пользователя.

Модули памяти от Apacer построены на основе чипов Infineon, время выборки — 5 нс. Показатели производительности при "тайминговой" формуле 2,5-3-3-5 особо не впечатляют, однако производитель вообще рекомендует использовать значение CAS Latency = 3, поэтому 2,5 можно считать маленькой победой.

Samsung M368L3223ETM

Замыкает парад пара модулей M368L3223ETM от Samsung Electronics. Эта корейская компания всегда производила отличную память, поэтому к неплохим результатам мы были готовы заранее.

При заявленной CAS Latency = 3 эти модули удалось "завести" при CAS Latency = 2,5. Естественно, память от Samsung построена на базе чипов от самой же Samsung (время выборки — 5 нс).

Производительности этой пары модулей оказалась действительно на высоте, по нашему рейтингу — примерно третье место после "болидов" от Corsair и Kingston.

Стоит особо отметить тот факт, что на сайте компании представлена подробнейшая информация обо всех модулях памяти, чего, к сожалению, нельзя сказать о некоторых других производителях, чьи модули принимали участие в тестировании.

Современные типы памяти DDR, DDR2, DDR3 для настольных компьютеров

Напечатать страницу

В данной статье мы рассмотрим 3 вида современной оперативной памяти для настольных компьютеров:

DDR — является самым старым видом оперативной памяти, которую можно еще сегодня купить, но ее рассвет уже прошел, и это самый старый вид оперативной памяти, который мы рассмотрим. Вам придется найти далеко не новые материнские платы и процессоры которые используют этот вид оперативной памяти, хотя множество существующих систем используют DDR оперативную память. Рабочее напряжение DDR — 2.5 вольт (обычно увеличивается при разгоне процессора), и является наибольшим потребителем электроэнергии из рассматриваемых нами 3 видов памяти.
DDR2 — это наиболее распространенный вид памяти, который используется в современных компьютерах. Это не самый старый, но и не новейший вид оперативной памяти. DDR2 в общем работает быстрее чем DDR, и поэтому DDR2 имеет скорость передачи данных больше чем в предыдущей модели (самая медленная модель DDR2 по своей скорости равна самой быстрой модели DDR). DDR2 потребляет 1.8 вольт и, как в DDR, обычно увеличивается напряжение при разгоне процессора
DDR3 — быстрый и новый тип памяти. Опять же, DDR3 развивает скорость больше чем DDR2, и таким образом самая низкая скорость такая же как и самая быстрая скорость DDR2. DDR3 потребляет электроэнергию меньше других видов оперативной памяти. DDR3 потребляет 1.5 вольт, и немного больше при разгоне процессора

Таблица 1: Технические характеристики оперативной памяти по стандартам JEDEC

JEDEC — Joint Electron Device Engineering Council (Объединенный инженерный совет по электронным устройствам)

Важнейшей характеристикой, от которой зависит производительность памяти, является ее пропускная способность, выражающаяся как произведение частоты системной шины на объем данных, передаваемых за один такт. Современная память имеет шину шириной 64 бита (или 8 байт), поэтому пропускная способность памяти типа DDR400, составляет 400 МГц х 8 Байт = 3200 Мбайт в секунду (или 3.2 Гбайт/с). Отсюда, следует и другое обозначение памяти такого типа — PC3200. В последнее время часто используется двухканальное подключение памяти, при котором ее пропускная способность (теоретическая) удваивается. Таким образом, в случае с двумя модулями DDR400 мы получим максимально возможную скорость обмена данных 6.4 Гбайт/с.

Но на максимальную производительность памяти также влияет такие важный параметры как «тайминги памяти».

Известно, что логическая структура банка памяти представляет собой двумерный массив — простейшую матрицу, каждая ячейка которой имеет свой адрес, номер строки и номер столбца. Чтобы считать содержимое произвольной ячейки массива, контроллер памяти должен задать номер строки RAS (Row Adress Strobe) и номер столбца CAS (Column Adress Strobe), из которых и считываются данные. Понятно, что между подачей команды и ее выполнением всегда будет какая-то задержка (латентность памяти), вот ее-то и характеризуют эти самые тайминги. Существует множество различных параметров, которые определяют тайминги, но чаще всего используются четыре из них:

CAS Latency (CAS) — задержка в тактах между подачей сигнала CAS и непосредственно выдачей данных из соответствующей ячейки. Одна из важнейших характеристик любого модуля памяти;
RAS to CAS Delay (tRCD) — количество тактов шины памяти, которые должны пройти после подачи сигнала RAS до того, как можно будет подать сигнал CAS;
Row Precharge (tRP) — время закрытия страницы памяти в пределах одного банка, тратящееся на его перезарядку;
Activate to Precharge (tRAS) — время активности строба. Минимальное количество циклов между командой активации (RAS) и командой подзарядки (Precharge), которой заканчивается работа с этой строкой, или закрытия одного и того же банка.

Если вы увидите на модулях обозначения «2-2-2-5» или «3-4-4-7», можете не сомневаться, это упомянутые выше параметры: CAS-tRCD-tRP-tRAS.

Стандартные значения CAS Latency для памяти DDR — 2 и 2.5 такта, где CAS Latency 2 означает, что данные будут получены только через два такта после получения команды Read. В некоторых системах возможны значения 3 или 1.5, а для DDR2-800, к примеру, последняя версия стандарта JEDEC определяет этот параметр в диапазоне от 4 до 6 тактов, при том, что 4 — экстремальный вариант для отборных «оверклокерских» микросхем. Задержка RAS-CAS и RAS Precharge обычно бывает 2, 3, 4 или 5 тактов, а tRAS — чуть больше, от 5 до 15 тактов. Естественно, чем ниже эти тайминги (при одной и той же тактовой частоте), тем выше производительность памяти. Например, модуль с латентностью CAS 2,5 обычно работает лучше, чем с латентностью 3,0. Более того, в целом ряде случаев быстрее оказывается память с меньшими таймингами, работающая даже на более низкой тактовой частоте.

В таблицах 2-4 предоставлены общие скорости памяти DDR, DDR2, DDR3 и спецификации:

Тип	Частота шины	Скорость передачи данных	Тайминги	Заметки
PC2100	133	266	2.5-3-3-7	Старые ПК, ноутбуки
PC2700	166	333	2.5-3-3-7	Старые ПК, ноутбуки
PC3200	200	400	2.5-3-3-8	Популярная стандарт
PC3500	217	433	2.5-3-3-7	Оверклокерные стандарты
PC3700	233	466	2.5-3-3-7
PC4000	250	500	2.5-3-3-7
PC4400	275	550	2.5-3-3-7
PC4800	300	600	2.5-4-4-10

Таблица 2: Общие скорости памяти DDR и спецификации

Тип	Частота шины	Скорость передачи данных	Тайминги	Заметки
PC2-3200	200	400	3-3-3-12	Редко встречаеться
PC2-4200	267	533	4-4-4-12	Популярная стандарт
PC2-5300	333	667	5-5-5-15	Широко используемые
PC2-6400	400	800	5-5-5-15	Последний стандарт
PC2-8000	500	1000	5-5-5-15	Оверклокерные стандарты
PC2-8500	533	1066	5-5-5-15
PC2-8888	556	1111	5-5-5-15
PC2-9136	571	1142	5-5-5-15
PC2-10000	625	1250	5-5-5-18

Таблица 3: Общие скорости памяти DDR2 и спецификации

Тип	Частота шины	Скорость передачи данных	Тайминги	Заметки
PC3-8500	533	1066	7-7-7-20	чаще называемые DDR3-1066
PC3-10666	667	1333	7-7-7-20	чаще называемые DDR3-1333
PC3-12800	800	1600	9-9-9-24	чаще называемые DDR3-1600
PC3-14400	900	1800	9-9-9-24	чаще называемые DDR3-1800
PC3-16000	1000	2000	TBD	чаще называемые DDR3-2000

Таблица 4: Общие скорости памяти DDR3 и спецификации

DDR3 можно назвать новичком среди моделей памяти. Модули памяти этого вида, доступны только около года. Эффективность этой памяти продолжает расти, только недавно достигла границ JEDEC, и вышла за эти границы. Сегодня DDR3-1600 (высшая скорость JEDEC) широко доступна, и все больше производителей уже предлагают DDR3-1800). Прототипы DDR3-2000 показаны на современном рынке, и в продажу должны поступить в конце этого года — начале следующего года.

Процент поступления на рынок модулей памяти DDR3, согласно с данными производителей, все еще небольшая, в пределах 1%-2%, и это значит, что DDR3 должен пройти длинный путь прежде чем будет соответствовать продажам DDR (все еще находиться в пределах 12%-16%) и это позволит DDR3 приблизиться к продажам DDR2. (25%-35% по показателям производителей).

Память DDR400 (PC3200) SDRAM против DDR333, DDR266 и PC133. Тесты в играх.

Память DDR400 PC3200 и материнская плата Gigabyte GA-7VAXP на чипсете KT400. Сравнительные тесты производительности памяти DDR400, DDR333, DDR266 и PC133.

Инфоповодом для нижеследующего текста послужила материнская плата Gigabyte GA-7VAXP на чипсете KT400, доставленная в нашу тестовую спецрейсом прямиком из Поднебесной. Центральная опция данной платы и чипсета, несомненно, — поддержка 400-мегагерцовой DDR-памяти. Вот о последней, ее предшественниках и последователях и хотелось бы поговорить.

Предыдущий стандарт памяти — DDR333 (он же PC2700) — лишь совсем недавно получил статус официального, принятого JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council). А большинство разнокалиберных модулей на чипах Samsung с гордой маркировкой DDR333 CL2,5, до сих пор сплошь и рядом соглашаются устойчиво работать лишь на 266 МГц. Иногда, снизив частоту, в качестве компенсации удается уменьшить и задержку CL до 2 тактов, что дает свои пару процентов прироста общей производительности, но не более того. Конечно, задавшись целью, можно найти фирменный 333-мегагерцовый модуль, например, собственной самсунговской сборки, отлично работающий на штатной частоте (к тому же если поднять напряжение питания памяти на 0,1-0,2 В). Для большей стабильности настоятельно рекомендуется нескольким модулям маленького объема предпочесть один большой.

Купить бы такой и прочувствовать совершенство собственного ПК! Но не тут-то было, с недавних пор в общедоступной рознице появились знакомые безымянные DIMM'ы (в основном на микросхемах Winbond), правда — с новой, волнующей умы маркировкой DDR400 или PC3200. Они, естественно, пока тоже не стандартизованы медлительным JEDEC'ом. Но ответить на вопрос, стоит ли воздерживаться от приобретения DDR SDRAM прежнего образца, чтобы непременно купить новинку, можно уже сейчас.

Платформер

К сожалению, AMD-платформа, единолично пока поддерживающая DDR400, принципиально не дружит с единственной живой альтернативной памятью Direct Rambus DRAM. А Intel не станет реализовывать поддержку DDR400 в своих чипсетах до тех пор, пока этот стандарт не будет официально принят. В итоге приходится ограничиваться сравнением трех действующих разновидностей DDR плюс самой быстрой версии старой-доброй PC133 SDRAM (что ни говори, а старушка SDRAM-обыкновенная, несмотря на весь этот бурный прогресс, все еще остается самой распространенной).

Как ни странно, но на этот раз, взятый наугад DDR400-модуль (256 Мбайт, упакованных в 8 чипов производства вышеупомянутой Winbond) проявил отменную стабильность в штатном режиме. То же самое можно сказать и о матплате GA-7VAXP, несмотря на номер ее ревизии (всего лишь 1.1) и отсутствие большей части ответственных за стабильность питания конденсаторов на разведенных для них местах вокруг процессорного разъема. Попытка AMD сделать крепление кулеров более надежным (для чего была придумана конструкция, напоминающая крепеж кулеров у Pentium4), похоже, так и не встретила отклика у пользователей и изготовителей плат. В частности, наша GA-7VAXP не имела соответствующих крепежных отверстий, а на ее предшественнице GA-7VRXP (на чипсете KT333) таковые дырки были.

Из прочих новшеств, реализованных в чипсете KT400, непременно надо отметить следующее:
• поддержку AGP 8x (AGP 3.0), достойную особого рассмотрения (каковое несомненно воспоследует). Ради нового множителя пришлось поступиться поддержкой старых видеокарт с 3,3-вольтовым напряжением питания, работавших в режиме AGP 2x (реже — AGP 4x);
• 8X V-Link — новую шину между северным и южным мостом с пропускной способностью 533 Мбайт/с (против 266 Мбайт/с у KT266A и KT333);
• поддержку процессоров Athlon для системной шины 333 МГц. Как явствует из инструкции к нашей плате, с такими процессорами можно будет использовать только синхронную частоту памяти (DDR333). Обидно.

Память DDR400 PC3200 на своем рабочем месте.

У самой GA-7VAXP тоже есть обновка по сравнению с предшественницей. И без того богатая коллекция интерфейсов (USB 1.1 и 2.0, IDE RAID, адаптер Ethernet 10/100 Мбит/с) пополнилась контроллером FireWire (IEEE1394). Можно посетовать лишь на отсутствие уже входящего в обиход интерфейса для жестких дисков Serial ATA, но он пока не столь нужен, чтобы навешивать на плату еще несколько чипов, а встроенной поддержки SATA в KT400 по-прежнему не предусмотрено.

DDR в тесте

Оценить производительность подсистемы памяти можно с большой точностью, воспользовавшись многочисленными синтетическими тестами (PCMark, Cachemem), да только практическая польза от таких испытаний будет невелика. Их оценки можно предсказать или даже просчитать, зная частоты, задержки, ширину шины данных и т.п. Увы, в реальных задачах картина может оказаться совершенно иной (местами, конечно, результаты останутся прежними, но разница может сократиться в разы или даже стать нулевой).

Производительность DDR400 по мнению SiSoft Sandra.

Посему для наших целей традиционно больше всего подходят тесты, базирующиеся на игровых движках. Чтобы окончательно приземлить результаты, использовалось обиходное разрешение 1024х768х32 с выключенным сжатием текстур, а также видеокарта уровня чуть выше среднего — Sapphire Radeon 9000 Pro (64 Мбайт собственной памяти).

Результаты тестированиев разрешении 1024x768x32.

Результаты перед вами — см. таблицу (применялся процессор Athlon-1700+ XP). На первый взгляд разница заметна лишь между простой SDRAM и DDR-памятью. С другой стороны — что такое 300 «попугаев» в 3DMark? Фактически всего лишь прирост в 5-6 fps по некоторым из тестов или даже меньше того. С третьей стороны такой же разрыв отделяет самую медлительную версию DDR от виновницы нашего сегодняшнего торжества. А разница между DDR400 и простой SDRAM достигает уже 10-16 fps в самых удачных тестах. Как говорится, уже что-то. Хоть и, по-моему, совершенно недостаточно для того, чтобы немедленно бежать в магазин за новой памятью. Тем более что современные высокотехнологичные игры с поддержкой шейдеров и т.п. (ради них, как правило, и затеивается апгрейд) в наименьшей степени откликнулись на возросшую частоту памяти). По большому счету, того же десятка fps прироста с куда большей вероятностью можно добиться сменой видеокарты (а если карта старая, без аппаратного блока T&L — это в любом случае единственный действенный вариант).

Другое дело, что быстрая память влияет на производительность всех программ, включая операционную систему. Измерить изменения в скорости загрузки Windows XP — нетривиальная задача, но даже лишние доли секунды задержки на том или ином привычном действии порою очень портят общее ощущение темпа. А поскольку темп работы у каждого свой, сложно давать какие-либо рекомендации по поводу апгрейда, связанного с подсистемой памяти. Для иллюстрации я перегнал 240 Мбайт аудиоматериала из WAV в MP3 с помощью одного из самых популярных кодеков — Lame 3.92. Получившиеся 15% разницы между самой быстрой (DDR400) и самой медленной системой (PC133) мне лично кажутся достаточной причиной для беспокойства. Разница же между DDR400 и DDR266 не превысила 7% — вроде бы не столь страшно, чтобы отказываться от совсем еще свежей, но уже ставшей самой слабой памятью в иерархии DDR?

Безусловно, для стерильной оценки необходимо было бы использовать разные контроллеры памяти, входящие в состав разных чипсетов. Вполне возможно (даже — почти наверняка), что KT400 пока не использует всех возможностей последнего поколения DDR-памяти, да и сама эта память вряд ли пока пригодна для разгона и тонкой настройки (впрочем, не проверял — у нашей GA-7VAXP в текущей версии BIOS отсутствовала даже настройка CAS Latency, не говоря уже о более тонких). В то же время контроллер памяти у использовавшейся в тесте платы ABIT KT7A (как и у большинства фирменных плат на последнем поколении SDRAM-чипсетов) отточен до мелочей и более шлифовать его уже некуда. Три основные настройки — Bank DRAM Timing, DRAM Bank Interleave, SDRAM Cycle Length — были установлены в лучшую комбинацию — Turbo, 4-Way и 2 соответственно.

А значит, есть шанс, что с появлением оптимизированных версий BIOS для KT400 разрыв в скоростях еще увеличится на пару-тройку процентов.

Что же теперь будет?

Синхронная DRAM (SDRAM) в теперешней ее разновидности — Double Data Rate, то есть передающая данные по обеим фронтам синхронизирующего сигнала системной шины, — уже исчерпала весь потенциал для собственного роста. Следующим в «роадмапе» JEDEC'а значится DDR2, идеологически близкая к небезызвестной Direct Rambus DRAM. Частота шины ее стараниями будет учетверяться. Следовательно, пропускная способность в первой версии DDR2, работающей на 400 МГц составит 4800 Мбайт/с (маркироваться модули будут по-старому: например, DDR2-400 PC4800). Первые экземпляры данного чуда обещаны уже в первом квартале 2003 года. Рассчитывать, что эта память будет обратно совместимой с нынешними платами, конечно же, не приходится.